英特爾計劃于2009年開始推出采用32納米技術節點的三閘級晶體管。憑借這個新的三維晶體管架構，英特爾希望能夠在提高產品性能的同時，降低產品功耗。在夏威夷舉行的工藝及元件技術國際會議的前，英特爾公布了其研究多年的該晶體管的詳細情況。       

       據英特爾零部件研究部總監Mike Mayberry透露，英特爾已經成功地把高K電介質、金屬柵電極以及應變硅整合到這個新的晶體管中。他說：“到2010年，英特爾將可以開始使用新的三閘級晶體管建造芯片，這種三閘級晶體管與現有65納米工藝的晶體管相比，要么可以提高45%的速度，要么可以減少35%的總功耗。       

       產品在技術上的進步可能會成為產品促銷的工具。功效是從大功率服務器到移動膝上型電腦和手持個人數字助理等個人電腦領域里芯片的一個關鍵賣點。       

       英特爾的這項新技術還可能會進一步延伸摩爾定律。Mayberry說：“這將是采用45納米或更小的32納米或22納米工藝生產芯片的一種選擇，這給了我們信心，繼續把摩爾定律延伸至下一個十年。”　

       英特爾表示，今年第三季度公司將生產更多的采用65納米工藝的芯片，2007年公司將向45納米,2009年將向32納米工藝移植。