NEC電子和NEC日前開發(fā)出一項(xiàng)半導(dǎo)體封裝新技術(shù)“SMAFTI（smart chip connection with feedthrough interposer）”，將邏輯LSI和芯片面積較大的Gbit級(jí)大容量DRAM層疊在同一封裝內(nèi)，與過(guò)去相比能夠以10倍以上，即100Gbit/秒的速度在兩芯片之間進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。如使用該技術(shù)構(gòu)筑系統(tǒng)LSI，以手機(jī)為代表的在封裝面積和耗電量方面存在制約的便攜終端“將能完成與數(shù)字電視高清內(nèi)容相媲美的高精細(xì)視頻處理”（NEC電子）。NEC電子計(jì)劃2007年度第1季度開始在產(chǎn)品中對(duì)SMAFTI技術(shù)進(jìn)行產(chǎn)品應(yīng)用。

應(yīng)用SMAFTI的系統(tǒng)LSI外觀

SMAFTI的結(jié)構(gòu)

       SMAFTI的實(shí)現(xiàn)技術(shù)大體包括3點(diǎn)。一是以相當(dāng)于過(guò)去1/4的50μm連接間隔將邏輯LSI和大容量?jī)?nèi)存進(jìn)行多點(diǎn)連接的小間隔焊接凸起連接技術(shù)。能夠在相同的芯片面積上形成4倍于過(guò)去的焊接凸起。由此就能實(shí)現(xiàn)100Gbit/秒的高速數(shù)據(jù)傳輸。在連接各芯片的焊接凸起中采用了無(wú)鉛焊錫。

       二是厚度僅15μm的貫通封裝底板。通過(guò)結(jié)合使用線寬約為老式封裝內(nèi)部布線一半、即線寬為15μm的鍍銅布線，和厚度為7μm的聚酰亞胺樹脂，實(shí)現(xiàn)了超薄的封裝底板。由此，不僅控制了布線的IR壓降，還能在芯片間進(jìn)行高密度連接。貫通封裝底板的布線高度為15μm，與芯片內(nèi)部的長(zhǎng)距離布線（高為數(shù)μm）相比，可實(shí)現(xiàn)大截面積布線。此技術(shù)不僅有助于控制IR壓降，還有助于提高數(shù)據(jù)傳輸速度。

       三是在半導(dǎo)體前期工序中對(duì)層疊封裝2個(gè)芯片的一系列封裝組裝工序進(jìn)行整體處理。具體來(lái)說(shuō)，就是首先在起支撐底板作用的仿真硅晶圓上配置內(nèi)存芯片，對(duì)其進(jìn)行封裝后去除硅晶圓。在去除后的背面配置邏輯LSI，形成外部端子后形成BGA封裝。

       兩公司將在2006年5月30日于美國(guó)加利弗尼亞州圣迭戈市開幕的封裝技術(shù)國(guó)際會(huì)議“Electronic Components and Technology Conference 2006（ECTC 2006）”上發(fā)表此項(xiàng)開發(fā)成果。（記者：大石 基之）