力晶與瑞薩延伸快閃記憶體合作，進軍高容量、主流規格的快閃記憶體領域，未來與本業DRAM結合，將使力晶在記憶體領域的地位更加鞏固。 
      目前全球大型DRAM廠中，引進DRAM與快閃記憶體兩大業務已是趨勢，一來兩者制程能相互轉換，可減少DRAM景氣起伏劇烈的產業特性影響；二來在消費性產品搭載快閃記憶體應用日廣，龐大商機更讓業者躍躍欲試。
      臺灣DRAM廠中，除了力晶，包括南科、茂德等都磨刀霍霍，有意投入快閃記憶體領域。但南科規劃是在DRAM全球市占率達10%后，快2008年才打算切入；茂德則規劃明年初試產，2008年量產。
      力晶加入主流規格快閃記憶體制造，結合既有DRAM優勢，加上積極布局太陽能光電領域，集團爆發力蓄勢待發。對于力晶董事長黃崇仁許下年營收1,000億元的目標，又邁進一步。
      業內人士分析，力晶發展快閃記憶體領域，是循著DRAM模式發展，由國外業者提供技術、力晶出產能。由于模式類似，可大幅縮短進入的時間。由于力晶向來以成本控制優勢取勝，加入主流規格快閃記憶體市場后，將對同業造成相當壓力，使快閃記憶體市場競爭更加激烈。