力晶（5346）目前雖還并不是全球DRAM廠，不過以其追趕國際DRAM大廠速度來看，不難發現力晶過去不斷宣示其在DRAM市場決心與努力，于日前董事長黃崇仁宣布力晶要成為全方位的記憶體供應商后，再度復制過去DRAM成功模式，希望能夠在NAND型快閃記憶體（Flash）市場中占有一席之地。
       數10年前，力晶剛進入標準型DRAM市場所采用的策略便是先由技術授權開始，從日立（Hitachi）技術授權后，便展開其DRAM輝煌之旅，雖后來日立與另一大廠共同成立爾必達（Elpida），力晶依然遵循過去技術授權模式，持續深耕DRAM產業，期間外界不斷質疑力晶僅靠技術授權恐難立足，不過對于力晶來說，仍不顧旁人眼光持續堅持下去，目前已成為臺灣DRAM廠，且依照未來計畫，力晶將會在6年內再興建4座12寸晶圓廠，完全可看出力晶是全力以赴，不是說說而已。
       在其他競爭對手陸續宣布踏入NAND型Flash市場后，對于日前對外宣示要做1家全方位記憶體供應商的力晶來說，自然不會在這一產業中缺席，也因此除了自立自強成立NAND型Flash的IC設計公司外，另一方面，重新復制過去在標準型DRAM產業所創立下來成功營運模式，希望能加快在NAND型Flash市場成功速度。
       這就是為何力晶要先行自瑞薩（Renesas）技術授權，取得瑞薩1Gb產品技術授權及行銷專利，希望能藉由這樣動作，當做力晶踏入NAND型Flash市場踏腳石，這好比當初力晶自日立取得DRAM制程技術一樣，接下來為能進一步站穩NAND型Flash市場腳步，力晶更進一步與瑞薩簽訂4Gb授權及行銷專利，即便部份人士質疑力晶目前僅拿到瑞薩4Gb產品授權，而目前競爭對手均已將規格拉高至16Gb、甚至32Gb，力晶4Gb產品如何與其他人一較高低。
       這就好比當初力晶剛跨入標準型DRAM市場一樣，多數人不看好采用日本廠商技術，原因在于日廠所制造出來的東西可能太貴，無法與其他廠商競爭，但經過力晶近幾年來的努力，終于做出產品好且又兼具成本優勢標準型DRAM，如今看來，力晶在NAND型Flash領域也將如此，雖外界認為瑞薩自身都已暫時不做AG-AND型Flash，接手的力晶勢必也難有做為，不過依照過去歷史經驗來看，到力晶要在Flash市場闖出一片天仍是有機會的。