隨著半導體制程演進，物理現象的限制日益明顯，在DRAM和NAND型Flash身上都看得到。對NAND型Flash制程而言，進入90奈米以下的制程，良率提升和制程難度日益浮現，加上MLC（Multi-Level Cell）制程對三星電子（Samsung Electronics）、海力士（Hynix）而言都是挑戰，因此更加凸顯控制晶片業者角色的重要，簡單而言，就是原廠出品的產品品質每況愈下，因此控制晶片為協助產品順利出貨，必須要有更強的自動錯誤校正（ECC）能力，才能讓產品的表現足以展現應有水準。
       在快閃記憶卡身上，控制晶片所扮演的角色遠比過去在隨身碟、MP3播放器還要重要，主要是因為隨身碟大多只用在PC，控制晶片只要注意與PC間的相容性問題即可，然在快閃記憶卡可不一樣，與記憶卡配合的應用產品五花八門，延伸出的終端產品可高達上千種，控制晶片必須確定能與每一種終端產品都能相容，否則一旦出錯，整張記憶卡被退貨，后續接踵而來的問題，相當繁瑣。
       此外，隨著NAND型Flash制程持續微縮，需要克服的物理現象難度亦越增加，因此NAND型Flash品質大打折扣，對于控制晶片業者而言，是一則以喜、一則以憂，喜的是，NAND型Flash品質下降，就代表配合的控制晶片品質相對必須更好，足以彌補NAND型Flash的缺陷，因此整個產業難度的門檻順勢提升；然憂的是，各業者面臨接踵而至的挑戰，在技術上必須更佳戰戰兢兢，一不注意，就會在新一回合的大戰中被淘汰出局。
       下半年NAND型Flash產業即將面臨的MLC世代來臨，這也是控制晶片業者面臨的嚴峻挑戰。過去MLC晶片只有東芝（Toshiba）量產，問題還不大，然2006年下半起，三星和海力士的MLC晶片將大量撒向市場，目前各家記憶卡制造商都在尋覓可支援MLC的控制晶片廠商，據了解，大家都推出支援MLC的控制晶片，但仍屬慧榮產品為成熟，然目前只是起步階段，真正要分出勝負，下半年才是真正的關鍵時間點。