隨著半導(dǎo)體制程演進(jìn)，物理現(xiàn)象的限制日益明顯，在DRAM和NAND型Flash身上都看得到。對(duì)NAND型Flash制程而言，進(jìn)入90奈米以下的制程，良率提升和制程難度日益浮現(xiàn)，加上MLC（Multi-Level Cell）制程對(duì)三星電子（Samsung Electronics）、海力士（Hynix）而言都是挑戰(zhàn)，因此更加凸顯控制晶片業(yè)者角色的重要，簡(jiǎn)單而言，就是原廠出品的產(chǎn)品品質(zhì)每況愈下，因此控制晶片為協(xié)助產(chǎn)品順利出貨，必須要有更強(qiáng)的自動(dòng)錯(cuò)誤校正（ECC）能力，才能讓產(chǎn)品的表現(xiàn)足以展現(xiàn)應(yīng)有水準(zhǔn)。
       在快閃記憶卡身上，控制晶片所扮演的角色遠(yuǎn)比過(guò)去在隨身碟、MP3播放器還要重要，主要是因?yàn)殡S身碟大多只用在PC，控制晶片只要注意與PC間的相容性問(wèn)題即可，然在快閃記憶卡可不一樣，與記憶卡配合的應(yīng)用產(chǎn)品五花八門，延伸出的終端產(chǎn)品可高達(dá)上千種，控制晶片必須確定能與每一種終端產(chǎn)品都能相容，否則一旦出錯(cuò)，整張記憶卡被退貨，后續(xù)接踵而來(lái)的問(wèn)題，相當(dāng)繁瑣。
       此外，隨著NAND型Flash制程持續(xù)微縮，需要克服的物理現(xiàn)象難度亦越增加，因此NAND型Flash品質(zhì)大打折扣，對(duì)于控制晶片業(yè)者而言，是一則以喜、一則以憂，喜的是，NAND型Flash品質(zhì)下降，就代表配合的控制晶片品質(zhì)相對(duì)必須更好，足以彌補(bǔ)NAND型Flash的缺陷，因此整個(gè)產(chǎn)業(yè)難度的門檻順勢(shì)提升；然憂的是，各業(yè)者面臨接踵而至的挑戰(zhàn)，在技術(shù)上必須更佳戰(zhàn)戰(zhàn)兢兢，一不注意，就會(huì)在新一回合的大戰(zhàn)中被淘汰出局。
       下半年NAND型Flash產(chǎn)業(yè)即將面臨的MLC世代來(lái)臨，這也是控制晶片業(yè)者面臨的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。過(guò)去MLC晶片只有東芝（Toshiba）量產(chǎn)，問(wèn)題還不大，然2006年下半起，三星和海力士的MLC晶片將大量撒向市場(chǎng)，目前各家記憶卡制造商都在尋覓可支援MLC的控制晶片廠商，據(jù)了解，大家都推出支援MLC的控制晶片，但仍屬慧榮產(chǎn)品為成熟，然目前只是起步階段，真正要分出勝負(fù)，下半年才是真正的關(guān)鍵時(shí)間點(diǎn)。