力晶12寸廠產(chǎn)能陸續(xù)開出，90奈米制程良率提升，5、6月營收可望逐月創(chuàng)歷史新高。
      力晶今年購入旺宏12寸廠之后，目前擁有有一座8寸及三座12寸晶圓廠，未來計劃再興建4座12寸晶圓廠，挑戰(zhàn)全球前三大DRAM供應(yīng)商。
      力晶上周獲瑞薩技術(shù)授權(quán)4Gb AG-AND flash技術(shù)，今年的資本支出從原本的600億元提高到700億元，將大舉擴充快閃記憶體的量產(chǎn)布局，據(jù)了解，力晶5月營收可望比4月增加3%至5%，再創(chuàng)新高。
      力晶發(fā)言人譚仲民指出，力晶目前洽談銀行聯(lián)貸，在“緘默期”中，不能預(yù)測業(yè)績。瑞薩同意轉(zhuǎn)移4Gb快閃記憶體技術(shù)，對力晶是一大突破，AG-AND flash性能、大小和NAND flash差不多，但制程成本比NAND低。
      力晶標準型DRAM已全數(shù)轉(zhuǎn)至12寸廠生產(chǎn)，目前超過70%以上投片量都采90奈米制程，產(chǎn)出部分已超過五成比重，良率逾八成以上，DDRII配置已在40至50%左右。
      由于每單位晶圓面積可增加40%產(chǎn)出，業(yè)界估計力晶第三季DRAM成本，會比年初降低兩成。
      力晶持續(xù)增加12寸廠產(chǎn)出，包括12B廠季月產(chǎn)能已達4萬片，而新購入的12M廠年底月產(chǎn)能可達2萬片，12寸廠總月產(chǎn)能未來將達10萬片。力晶目前90奈米技術(shù)制程已經(jīng)進入量產(chǎn)，單月投片量約1萬片，良率也達80%水準，預(yù)計今年上半年90奈米制程比重將達50%，而80奈米制程也將在第三季試產(chǎn)。