力晶12寸廠(chǎng)產(chǎn)能陸續(xù)開(kāi)出，90奈米制程良率提升，5、6月?tīng)I(yíng)收可望逐月創(chuàng)歷史新高。
      力晶今年購(gòu)入旺宏12寸廠(chǎng)之后，目前擁有有一座8寸及三座12寸晶圓廠(chǎng)，未來(lái)計(jì)劃再興建4座12寸晶圓廠(chǎng)，挑戰(zhàn)全球前三大DRAM供應(yīng)商。
      力晶上周獲瑞薩技術(shù)授權(quán)4Gb AG-AND flash技術(shù)，今年的資本支出從原本的600億元提高到700億元，將大舉擴(kuò)充快閃記憶體的量產(chǎn)布局，據(jù)了解，力晶5月?tīng)I(yíng)收可望比4月增加3%至5%，再創(chuàng)新高。
      力晶發(fā)言人譚仲民指出，力晶目前洽談銀行聯(lián)貸，在“緘默期”中，不能預(yù)測(cè)業(yè)績(jī)。瑞薩同意轉(zhuǎn)移4Gb快閃記憶體技術(shù)，對(duì)力晶是一大突破，AG-AND flash性能、大小和NAND flash差不多，但制程成本比NAND低。
      力晶標(biāo)準(zhǔn)型DRAM已全數(shù)轉(zhuǎn)至12寸廠(chǎng)生產(chǎn)，目前超過(guò)70%以上投片量都采90奈米制程，產(chǎn)出部分已超過(guò)五成比重，良率逾八成以上，DDRII配置已在40至50%左右。
      由于每單位晶圓面積可增加40%產(chǎn)出，業(yè)界估計(jì)力晶第三季DRAM成本，會(huì)比年初降低兩成。
      力晶持續(xù)增加12寸廠(chǎng)產(chǎn)出，包括12B廠(chǎng)季月產(chǎn)能已達(dá)4萬(wàn)片，而新購(gòu)入的12M廠(chǎng)年底月產(chǎn)能可達(dá)2萬(wàn)片，12寸廠(chǎng)總月產(chǎn)能未來(lái)將達(dá)10萬(wàn)片。力晶目前90奈米技術(shù)制程已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)，單月投片量約1萬(wàn)片，良率也達(dá)80%水準(zhǔn)，預(yù)計(jì)今年上半年90奈米制程比重將達(dá)50%，而80奈米制程也將在第三季試產(chǎn)。