為了迎接下一波IC設(shè)計(jì)的高潮，日本尼康公司(Nikon)近日宣布推出用于32nm節(jié)點(diǎn)芯片生產(chǎn)的新型的193nm沉浸蝕刻掃描儀。

人們對(duì)尼康公司的新型NSR-S610C期待已久。今年二月，尼康就在一次研討會(huì)上披露了NSR-S610C的消息。193nm沉浸的用途是大批量生產(chǎn)45nm半超低(half-pitch)存儲(chǔ)器器件及32nm邏輯芯片。

尼康公司表示，NSR-S610C能夠以足夠的量產(chǎn)工藝極限來制造45nm器件的所有關(guān)鍵層。“盡早推出NSR-S610C設(shè)備，就可以讓我們的客戶在45-nm 生產(chǎn)中占據(jù)地位，”尼康精密設(shè)備有限公司總裁Kazuo Ushida說。

NSR-S610C的基礎(chǔ)是為NSR-609B開發(fā)的沉浸蝕刻技術(shù)，這是尼康采用1.07 NA透鏡為55nm量產(chǎn)開發(fā)的種沉浸工具，并于2006年一月交付使用。 新型沉浸掃描儀采用1.30數(shù)值孔徑(NA)兼反射光及折射光的透鏡以及尼康公司的四代極化技術(shù)Polano。

NSR-S610C采用了該公司的前后級(jí)和本地填充技術(shù)(tandem stage and local fill technologies)，前后級(jí)技術(shù)使系統(tǒng)每小時(shí)能夠達(dá)到或高于130晶圓；對(duì)準(zhǔn)精度已經(jīng)提高到6.5nm或更小， 該系統(tǒng)將在2006年底交付使用。

“我們交付使用種0.85 NA透鏡、種0.92 NA透鏡以及種高NA系統(tǒng)，并將交付使用款1.30 NA系統(tǒng)，”尼康精密設(shè)備有限公司首席執(zhí)行官Geoff Wild說，“我們將使客戶能夠于競爭對(duì)手掌握先進(jìn)的技術(shù)，從而贏得市場占有率。”