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      飛思卡爾發布ISM頻段適用的大功率晶體管系列

      更新時間: 2006-06-27 09:37:02來源: 粵嵌教育瀏覽量:486

             飛思卡爾宣布采用新開發的高壓射頻功率技術,結合經濟高效的創新超模壓塑料封裝,將其射頻功率解決方案擴展至工業、科學和醫療(ISM)市場。新推出的專為HF/VHF頻率間隔(10-450 MHz)和2.45 GHz ISM頻帶設計的晶體管,將飛思卡爾在技術和封裝方面的領導地位延伸到ISM市場。

             50V VHV6 RF LDMOS技術(第6代高電壓射頻橫向擴散金屬氧化物半導體)的開發促成了飛思卡爾的此次擴展。該技術在飛思卡爾廣為接受的28V LDMOS技術基礎上將工作電壓提高到50V,讓設計者能夠實現更高的功率,超過當前ISM市場上的產品的性能水平。此外,該設備還采用了超模壓塑料封裝,從而提供了經濟高效的ISM解決方案。

             飛思卡爾提供的ISM旗艦產品為MRF6V2300NB,它是功率為300W的50V LDMOS晶體管,其工作頻率為450 MHz,采用TO-272-WB-4超模壓塑料封裝制造。該設備能夠產生27dB的可觀增益,效率高達68%。憑借該產品的這種出色性能,ISM系統的設計者可以消除增益級(gain stages),從而降低總系統成本,減少占用板卡面積。除了出類拔萃的性能以外,該設備還具有極高的穩定性,其耐用容錯性能達到10:1 VSWR。

      六款針對ISM的創新產品

             飛思卡爾正在擴展其產品到兩個不同的ISM頻率市場:HF/VHF市場和2.45 GHz的ISM頻帶市場。為了達到10-450 MHz的HF/VHF頻率間隔要求,飛思卡爾提供了三種采用VHV6 50V LDMOS技術的晶體管。這些晶體管包括旗艦產品MRF6V2300NB、MRF6V2150NB(功率150W,效率69%, 增益25dB)及MRF6V2010NB(功率10W,效率68%,增益25dB)。對于2.45 GHz的ISM頻帶,飛思卡爾提供三種使用28V LDMOS技術的設備:MRF6P24190H(功率190W,效率46%,增益13dB)、MRF6S24190H(功率140W,效率46%,增益13dB)和MW6IC2420NB(二級20W,效率21%,增益21dB)。

      產品供貨信息

             上述所有六種ISM設備現在已經提供樣品。另外,所有三種2.45 GHz的設備已經投產。MRF6V2150NB計劃于2006年8月完全投產,而MRF6V2300NB和MRF6V2010NB則計劃于2006年第四季度完全投產。

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