6月20日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，一款速度達(dá)500GHz的硅鍺芯片在IBM的實(shí)驗(yàn)室中誕生。它比目前常見的PC芯片快了100多倍，而比手機(jī)芯片則快了250倍。IBM首席技術(shù)官伯納德·梅森預(yù)計(jì)，這款超級芯片有望在12-24個月內(nèi)推出商業(yè)化產(chǎn)品。

       “這是計(jì)算機(jī)半導(dǎo)體科技史上的一次突破性發(fā)展。”梅森表示，他認(rèn)為這項(xiàng)技術(shù)將進(jìn)一步降低高速芯片的成本，有助于催生速度更快的電腦和無線網(wǎng)絡(luò)。  

       根據(jù)介紹，科學(xué)家們采用了液氦技術(shù)成功使這款芯片達(dá)到了里程碑式的“冰點(diǎn)”溫度：華氏零下451度，僅比“零度”高9華氏度(新浪科技注：“零度”即零下459華氏度，或零下273.15攝氏度，實(shí)驗(yàn)上，零度永遠(yuǎn)無法達(dá)到，但可無限逼近。)，這樣的溫度通常只存在于外太空中，就在這樣超低溫的環(huán)境中，科學(xué)家們獲得了500GHz的高速。目前，在正常的室溫環(huán)境下，這款芯片可運(yùn)行在350GHz的水平上，這也遠(yuǎn)遠(yuǎn)快于目前市場上所能見到的芯片。

       加百利咨詢公司分析師丹·歐德斯稱，這項(xiàng)技術(shù)的出現(xiàn)表明芯片芯片工業(yè)還遠(yuǎn)未走到，他表示，總有人認(rèn)為芯片速度已經(jīng)快要接近極限，現(xiàn)在看來，人們還遠(yuǎn)未能達(dá)到這一步。科學(xué)家們甚至認(rèn)為，硅鍺芯片的理論速度有望達(dá)到1THz。

       不過歐德斯也警告說，考慮到這項(xiàng)新技術(shù)可能過于前衛(wèi)的表現(xiàn)，它距離找到具體的商業(yè)模式還有待時日。(金磊)

       (注：硅鍺芯片與標(biāo)準(zhǔn)的硅芯片類似，不過加入的鍺元素可有效提高芯片性能并降低功耗，當(dāng)然此舉也會增加芯片的制造成本。多用于航空器、雷達(dá)、無線通訊產(chǎn)品等設(shè)備。)