國際整流器公司(International Rectifier，IR)近日推出全新60、80和100V的N溝道HEXFET MOSFET。這些產品適用于目前網絡和通信系統中的開關轉換器應用，可以將阻容乘積這一參數改善36%。IRF7853PbF、IRF7854PbF及IRF7855PbF均適用于AC-DC次級同步整流、隔離式中等功率DC-DC應用。

       IR中國大陸及香港銷售總監嚴國富指出：“MOSFET的導通狀態電阻和總柵極電荷性能對整個電路性能有著直接的影響。我們的三款新型SO-8封裝器件采用了IR的溝道MOSFET技術，可以大幅度降低RDS(on)和Qg，為轉換器電路帶來顯著的系統級優勢。”

       這些中電壓MOSFET配合IR的低電壓MOSFET和控制器IC，可組成中功率轉換器應用的次級芯片組。此外，當與SmartRectifier智能整流器IR1167一起應用于筆記本電腦適配器等AC-DC電源時，這些新型SO-8封裝器件則可替代兩個大型的TO-220 MOSFET及對應的散熱器，提升整體系統效率達1%。

       100V IRF7853專為隔離式DC-DC總線轉換器的通信總線寬電壓輸入(36V-75V)的原邊橋拓撲結構作了優化。80V IRF7854則可用于有源ORing和熱插拔應用。三款MOSFET都是針對5-19V輸出的反激轉換器的次級同步整流和共振半橋式應用設計的，并可以作為18-36V輸入的隔離式DC-DC轉換器的正激拓撲結構或推挽式拓撲結構的原邊開關，在隔離式DC-DC應用中使用。這些新型HEXFET MOSFET現已供貨。