為了滿足業(yè)界對更小巧輕薄、更快速、散熱更好及性能更可靠的便攜式應用MOSFET器件的需求，安森美半導體(ON Semiconductor)日前推出具備良好效能與設計靈活度的功率MOSFET產(chǎn)品μCool系列，首批推出的六款μCool器件采用強化散熱的超小型WDFN6封裝。據(jù)介紹，新推出的六款μCool產(chǎn)品采用外露漏極DFN封裝技術，可以在4平方毫米面積上取得良好的熱阻(38℃/W)與額定功率(1.9W)，額定持續(xù)功率比業(yè)界標準SD-88封裝提高了190%，比SD-70-6扁平引腳封裝提高了130%。由功率的角度來看，采用WDFN6封裝的μCool器件能更有效的使用便攜式應用中寶貴的電路板空間。安森美半導體功率MOSFET產(chǎn)品市場營銷總監(jiān)Thibault Kassir說: “我們設計μCool產(chǎn)品系列的主要目的是解決便攜式設備，例如鋰離子電池充電電路、高/低電壓端負載開關以及同步升降壓電路中所面臨的電源管理問題。這些μCool器件只是一個開端，我們將陸續(xù)提供一系列采用溝槽式技術的產(chǎn)品，工作電壓范圍由8V到30V，并提供各種不同配置，包括單/雙、FETKy、互補/集成型負載開關。”

       雖然μCool功率MOSFET系列擁有與標準SC-88和SC-70-6封裝相同的占位面積，但是安森美的MOSFET產(chǎn)品提供了更多性能，它在底面露出一個可以做為漏極接點以及散熱路徑的連接面，強化后的散熱路徑能處理更高功率或在更低接點溫度工作。這些選擇在采用電池運作的設備上更為重要，因為更低的接點溫度也就代表了更低的導通電阻RDS(on)或更少的功耗，也就是說可以延長電池的使用時間，而這正是手機、數(shù)字相機，便攜式游戲機、便攜式全球定位系統(tǒng)或任何采用電池運作的消費電子產(chǎn)品在考慮許多功耗問題時的一個極重要因素。安森美半導體便攜式應用MOSFET產(chǎn)品市場營銷經(jīng)理Tom Zemites說: “μCool產(chǎn)品系列在便攜式產(chǎn)品應用上不論是尺寸、熱阻及額定功率上的表現(xiàn)都相當優(yōu)異，尤其是與較大尺寸封裝，如Micro-8、TSOP-6與ChipFET等比較時。我們?yōu)闃I(yè)界帶來了能夠讓設計工程師在不犧牲效能的情況下大幅縮小電路板占用空間的更小型化功率封裝。”

       這六款新μCool功率MOSFET器件現(xiàn)已提供樣品并已進入批量生產(chǎn)，較大數(shù)量訂單的供貨日程為6到8周。其中，20VP-通道單NTLJS3113PT1G與雙NTLJD3115PT1G均經(jīng)優(yōu)化, 適用于鋰離子電池充電應用，在4.5V時導通電阻RDS(on)分別為42mΩ與100mΩ，每10,000件的批量單價分別為0.30與0.31美元；20VP-通道FETKy NTLJF3117PT1G(100mΩ) 經(jīng)優(yōu)化，適用于將3V到4V電池電壓轉(zhuǎn)換為微處理器使用的1.1V電壓應用，每10,000件的批量單價為0.31美元；30VN-通道NTLJS4159NT1G(35mΩ)與FETKy NTLJF4156NT1G (70mΩ)經(jīng)優(yōu)化，適用于如白光LED背光的同步升壓應用，每10,000件的批量單價分別為0.29與0.30美元；30VN-通道雙NTLJD4116NT1G(70mΩ)經(jīng)優(yōu)化，適用于低電壓端開關，例如照相機快門與閃光，每10,000件的批量單價為0.30美元。