東芝公司日前表示，計(jì)劃三年內(nèi)投資180億美元，一半用于半導(dǎo)體，主要是擴(kuò)充NAND閃存產(chǎn)量。東芝總裁兼首席執(zhí)行官Atsutoshi Nishida表示，將增加NAND閃存產(chǎn)量，將兩座新工廠的產(chǎn)能擴(kuò)大至兩倍。

4月初，東芝及其NAND合作伙伴SanDisk Corp.披露了Fab 4的計(jì)劃。Fab 4將月產(chǎn)10萬片晶圓，預(yù)計(jì)2007年第四季度開始運(yùn)作。東芝還確認(rèn)了在別處興建第二座生產(chǎn)廠Fab 5的計(jì)劃。

Fab 5預(yù)計(jì)將于2008年財(cái)年開始運(yùn)作，東芝和SanDisk將分享所有權(quán)。

對(duì)于可能產(chǎn)能過剩的擔(dān)心，Nishida回應(yīng)說：“盡管我們半導(dǎo)體預(yù)算約有1萬億日元，我們將根據(jù)市場狀況決定實(shí)際投資額。但我們的產(chǎn)能根據(jù)對(duì)NAND未來需求的預(yù)計(jì)將嚴(yán)重短缺。”

東芝預(yù)計(jì)NAND閃存市場將在2008年由今年的170億美元增至230億美元。電子設(shè)備的銷售預(yù)計(jì)將年增18%，由當(dāng)前財(cái)年的146億美元增長至2008財(cái)年的206億美元。