分析師透露，中國晶圓代工廠商中芯國際計劃新興一家300毫米工廠，而且可能進(jìn)行戰(zhàn)略調(diào)整，轉(zhuǎn)向IDM模式。據(jù)一份來自市場調(diào)研公司Semico Research Corp.的電子郵件快報：“該公司在北京新建了一家300毫米工廠，而且正在上海興建另一家300毫米工廠。”中芯國際一直在提升其在北京的300毫米工廠的產(chǎn)量，同時它在上海擁有幾家8英寸工廠。Semico公司的分析師Joanne Itow表示，中芯國際計劃在上海興建名為“Fab 8”的300毫米工廠，用于生產(chǎn)邏輯芯片。該廠計劃采用90和65納米工藝。她說：“可能在2007年投產(chǎn)。”

       同時，分析師想知道中芯國際是否正在從純粹的晶圓代工模式轉(zhuǎn)向IDM模式。中芯國際在1月份決定在Saifun Semiconductors Ltd.的幫助下進(jìn)入存儲卡市場。中芯國際擴(kuò)展了許可范圍，以利用Saifun公司的氧氮化物閃存技術(shù)，使其能夠開發(fā)和生產(chǎn)存儲卡。中芯國際公司近的財報暗示出公司正在進(jìn)行NAND閃存產(chǎn)品的開發(fā)。

       “NAND閃存開發(fā)工作在按計劃進(jìn)行，將在6月提供工程樣品，已在季度成功地生產(chǎn)出2-Gbit芯片。”Semico公司的上述快報表示。“中芯國際計劃在今年第四季度開始商業(yè)生產(chǎn)。”快報表示，此舉“暗示中芯國際將從純粹的晶圓代工廠商變成IDM。”

       “他們?nèi)韵氤洚?dāng)純粹的晶圓代工廠商。”Itow表示。“他們正在試圖確定在閃存業(yè)務(wù)方面采取什么策略。”中芯國際正在研究幾項可能的方案，可能分拆閃存業(yè)務(wù)、建立伙伴關(guān)系，或者把該業(yè)務(wù)出售給一家模塊制造商。中芯國際公司閃存的開發(fā)時間之快讓人印象深刻，更引人注目的是它采用了Saifun半導(dǎo)體公司的NROM 的閃存技術(shù)，許多Saifun的合作伙伴都已經(jīng)發(fā)現(xiàn)這一技術(shù)很難掌握，尤其是那些向NROM轉(zhuǎn)化，尚未建立標(biāo)準(zhǔn)閃存制造工藝的公司。