在Rambus公司與韓國芯片廠商海力士半導體(Hynix Semiconductor)之間的專利侵權案中，美國聯(lián)邦聯(lián)審團日前裁定前者將獲得逾3.069億美元的賠償。
      位于圣何塞的北加州地方聯(lián)邦法院的一個陪審團目前同意了Rambus的指控，即Hynix侵犯了其有關DRAM基本技術的多項專利權。上述賠償只涉及Hynix在2000年6月至2005年底期間向美國銷售的SDRAM、DDR SDRAM和DDR2等內(nèi)存產(chǎn)品，不包括任何判決前(pre-judgement)利息。判決前利息通常也是賠償?shù)囊徊糠郑枰獙徟蟹ü俚倪M一步考慮。
      Rambus在審判期間曾要求Hynix賠償1.085億美元至8.68億美元的損失。Rambus還要求法院發(fā)出禁止令，命令停止生產(chǎn)、使用或進口侵權的Hynix內(nèi)存產(chǎn)品。這項命令可能在審判的第三階段之后發(fā)出，Hynix將在該階段可爭辯Rambus的專利無效，因為后者利用反競爭的方式獲得在內(nèi)存產(chǎn)業(yè)中的地位。
      預計上述裁決將使Rambus處于有利地位，以此在類似的案件中向三星電子、美光和南亞科技等公司施壓。這項裁決還提高了Rambus爭取內(nèi)存產(chǎn)業(yè)中的制造商向其支付專利費的機會。至發(fā)稿時為止，Hynix尚未對上述裁決作出響應，但有關報導暗示它可能提出上訴。
      美國內(nèi)存芯片技術設計商Rambus于2005年1月提起專利侵權訴訟，控告的對象包括韓國的Hynix，德國的英飛凌，臺灣地區(qū)的南亞科技和Inotera Memories。Rambus控告前述幾家公司的DDR2內(nèi)存設備，以及GDDR2和GDDR3圖形內(nèi)存設備，侵犯其多達18項的專利。