據市場調研公司American Technology Research，三星電子(Samsung Electronics)已推遲8G NAND閃存芯片發貨，但該公司正在悄悄地開發每單元存儲四比特數據(4-bit-per-cell)的NAND閃存技術。

       據該公司消息，上述消息是三星電子在公布第二財季業績時披露的，三星把8G multi-level-cell (MLC) NAND推遲了“一個季度”。與此同時，三星在擴大其產品組合。分析師Satya Chillara在一份報告中表示：“三星正在提出自己版本的4bits/cell技術，計劃在2008年投產。”4-bit閃存技術使得能在同一個閃存單元實現4位信息存儲，這是2-bit/cell MLC NAND閃存的兩倍。

       三星的技術將與M Systems Flash Disk Pioneers Ltd. (以色列)、Saifun Semiconductors Ltd.(以色列)和其它公司進行競爭。M Systems表示，它預計在2007年初開始大規模生產其近宣布的x4 NAND閃存元件。

       Saifun開發出的一種4-bit-per-cell技術代號為“Quad-NROM”，它已向英飛凌和Spansion等廠商提供這種技術的授權。