“十五”期間，國內電子材料行業發展穩步增長，全行業工業總產值(銷售收入)約為550億元，占信息產業總銷售的1.3%。其中覆銅板材料、磁性材料、半導體材料約為470億元，總出口額近25億美元。
半導體硅材料供需失衡
多晶硅 多年來，中國多晶硅年產量徘徊在百噸級水平，供需關系嚴重失衡。2005年，國內集成電路和硅太陽能電池對多晶硅的實際需求量達到了3000噸左右，95%以上多晶硅材料需要進口，成為制約行業發展的瓶頸問題。在國家發改委、科技部和有關部門的支持下，在中國有色工程設計研究總院、洛陽中硅高科技有限公司等共同努力下，年產300噸規模的多晶硅項目已在2005年12月投產，形成洛陽中硅高科技公司、峨嵋半導體材料廠、樂山新光硅業公司為基礎的產業格局，年產能400噸左右，實際總產量約80噸。
單晶硅 從1995年開始，中國硅單晶的年均增長速度約為30%，在短短幾年中，我國內地硅單晶的年產量增長了20～30倍。受太陽能電池快速發展的拉動，2004年硅單晶年產量1700余噸，2005年產量增長47%，總產量達到約2700噸，總銷售額約50億元，其中太陽能電池硅單晶產量近2000噸。2005年，單晶硅出口1406.31噸，出口額13658.73萬美元；單晶硅片出口479.38噸，出口額11674.08萬美元。
目前，中國單晶硅產品的總體水平仍然較低，產品結構以4英寸、5英寸、6英寸硅單晶片為主流，12英寸硅拋光片經過有研半導體材料股份有限公司和浙江大學硅材料國家重點實驗室的研發已經取得較好的成果，目前已經建成月產1萬片的小試驗線，在大尺寸硅片研制中躋身于國際技術行列。
砷化鎵材料產業化體系完善
砷化鎵(GaAs)是目前重要、成熟的化合物半導體材料之一，廣泛應用于光電子和微電子領域，中國的砷化鎵材料產業化工作發展很快。中電科技集團四十六所在收購美國Litton Airtron公司生產線的同時，自主開發VB-GaAs單晶生產技術，同時進行半絕緣砷化鎵材料和低阻光電器件用砷化鎵材料的產業化工作，目標是實現光電砷化鎵襯底年產20萬片、半絕緣砷化鎵材料年產15萬片-20萬片；中科鎵英公司正在開展半絕緣砷化鎵材料及其外延材料的產業化工作；以北京有色金屬研究總院的HB-GaAs技術為基礎成立的國瑞電子公司已實現光電器件用砷化鎵材料生產多年。
磁性材料穩居全球之冠
中國磁性材料產業規模已居世界位，2005年總產能達45萬噸，其中永磁鐵氧體為29萬噸，軟磁鐵氧體為16萬噸，銷售額約250億元，出口占總量的50%以上。我國磁性材料中低檔產品占據國際市場的60%以上，產品方面也開始形成競爭力，高性能的軟磁鐵氧體材料PC40(μ>10000)和永磁鐵氧體材料(雙4000瓦形磁件)在2005年總產量中占有30%的比例，行業的技術進步有了較大提高。但從行業整體看，中國磁性材料工業與國外先進國家相比，存在著企業分散、管理水平低、產品檔次低和質量不穩定等問題。
覆銅板材料成為出口創匯大戶
銅箔層壓板(CCL)是制造印制電路板(PCB)的主要材料。2005年，中國覆銅板年產量約為20055萬平方米，同比增長20.7%，總銷售額達169億元，同比增長26%，出口額為57018萬美元，年出口量增長5.66%。中國覆銅箔層壓板生產量已居世界第二位。目前國內生產覆銅板的企業有幾十家，12μm、18μm、35μm、70μm銅箔均可生產，主要企業的產品質量已達到國際先進水平。
電子陶瓷材料參與廠商眾多
中國已成為世界MLCC(片式多層陶瓷電容器)制造大國，MLCC用Y5V、X7R、NPO牌號陶瓷已批量生產，Ni電極賤金屬陶瓷在研制中。2005年全球需求瓷料為1.5萬噸，其中，賤金屬抗還原瓷料量為1.2萬噸。Ni電極MLCC抗還原瓷料的研制開發與大批量生產是當今MLCC瓷料生產廠家的關鍵。
中國從事介質陶瓷材料研究開發與生產的院校、工廠已有上百家，通過近年來的不斷努力，已取得了一批具有國際先進水平的科研成果，并具有獨立自主知識產權。國內年生產各種介質陶瓷材料1800余噸。國內微波介質陶瓷材料及器件在技術水平、產品品種和生產規模上與國外相比有較大差距。
含鉛陶瓷的替代材料在近兩年是陶瓷材料的發展重點之一，中電科技集團第七研究所杰賽公司的研發取得了較大進展。
電容器用聚丙烯薄膜擴產速度加快
近兩年，部分電容器用聚丙烯薄膜企業加大了投資力度，擴大了生產能力。另外，合資企業、新建企業以及原生產包裝膜的部分企業通過改造生產線后也進入了電容器用聚丙烯薄膜行業，加大了市場競爭力度。目前生產企業總數達到136家，主要分布在長江三角洲、珠江三角洲和四川等地區。2005年總的年生產能力超過8萬噸(按7μm～8μm計算)，國內市場占有率達60%以上，發展速度相當快，其中安徽銅峰電子股份有限公司年產能達16000噸，生產規模位居世界位。
中國電容器用聚丙烯薄膜產業規模已居世界前列，經近幾年的高速提升，在產品開發、生產技術、工藝技術以及應用技術等方面都達到了國際水平。
鋁電解電容器用電極箔需進口
2005年國內鋁電解電容器用鋁電極箔市場需求約9000萬平方米，市場規模約35億元，其中低壓和中高壓電極箔約各占50%，國內生產量約在4900萬平方米，尚有4000萬平方米需進口，進口產品主要是中高壓高比容和特殊規格的次的腐蝕箔和化成箔(如閃光燈用鋁電解電容器、耐高紋波電流鋁電解電容器用電極箔等)，這些特殊規格用的電極箔國內正在研制階段。
目前國內鋁電解電容器用電極箔的生產企業有28家，另有7個企業生產鋁光箔?？偟哪赇N售收入近20億元，產量約4900萬平方米，其中低壓箔和中高壓電極箔各占50%。在技術水平方面，國內電極箔生產技術有鹽酸、硫酸(環保型)和重鉻酸、氫氟酸兩種工藝，并逐步向環保型工藝發展。
目前行業在積極提高產品檔次，積極開拓國際市場，2005年出口量約在3100多噸，出口額4274萬美元，比過去幾年有了較大的提高。
錫焊料無鉛進行時
2004年12月，中國無鉛焊料標準草案的提出，表明國內焊料行業對焊料無鉛化的高度重視。2005年國內錫焊料行業生產錫焊8.8萬噸，其中無鉛焊料產量達1.4萬噸左右。
國內通用錫鉛焊絲、條產品質量與國外同步，適應市場和經營的能力也較強。但在高端產品方面與國外相比還有差距，表現在：一是錫粉、BGA錫球的生產設備、工藝技術、產品質量等方面存在差距；二是錫膏的產品性能與工藝技術滿足不了用戶的需求；三是優良的免清洗焊技術不如國外產品；四是新產品的研發力量弱；五是無鉛焊料產品在國內市場占有率還比較低等。
光電子材料多方并進
激光晶體材料 國內從事激光晶體材料的企業約13家，主流產品是Nd：YAG材料，質量達到國際先進水平，并出口國際市場。
液晶材料 國內主要以TN-LCD用液晶材料為主，占有世界80%的市場份額，銷售量較大，但產值較低。可生產少量低檔STN-LCD用液晶材料，尚沒有TFT-LCD用液晶材料。
ITO導電玻璃 國內ITO市場需求量約1000萬平方米，主要生產企業約16家，生產能力約1億片(合1400萬平方米，14英寸×16英寸計)，ITO導電玻璃產能已大于需求量，但產品檔次亟待提高。
偏振片 中國偏振片70%來自進口，國內年產能僅40萬平方米，產品主要是TN型及少量STN型。
光纖材料 目前我國光纖用量僅次于美國、日本，居世界第三位。中國已形成了以武漢長飛光纖光纜公司為主體的光纖預制棒產業格局，主要光纖品種質量已達到世界水平，并有部分出口。2005年，國內光纖預制棒產能達到1900萬公里，占世界市場約10%份額，產品結構以單模光纖為主，同時有多模光纖、保偏光纖、摻稀土等特種光纖。光纖拉絲能力自足有余，生產規模已超過3000萬公里/年。
精細化工材料研發加強
超凈高純試劑 國內研究生產企業約10家，市場結構以硫酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、過氧化氟、乙丙醇為主，目前電子用各種試劑年需求量約在2.8萬噸，國內已能生產MOS級的高純試劑，年產量約5000噸，部分Semic-8標準的產品金屬雜質含量低于1PPb，但顆粒粒徑還未達到要求，0.5μm以下用的高純試劑處于研發階段。
光刻膠 國內研究生產光刻膠的單位有六七家，具有批量生產規模的企業還不多，產品結構有紫外正型膠、負型膠、電子束膠(或G線、I線膠)等。近幾年，隨著國內連續引進和建設了多條超大規模集成電路(ULSI)生產線，使248nm光刻膠需求不斷增長，但目前在國內尚未生產，需求差距大，193nm光刻膠處于研究階段。
環氧塑封料 國內研究生產廠家有六七家，主要是連云港漢高華威、昆山長興、蘇州住友、北京科化公司等，年生產規模約2萬噸。產品檔次主要滿足分立器件和部分集成電路封裝需要，以DIP、SOP等封裝形式所需產品為主，BGA、CSP封裝所需產品正在研制，固體塑封料的國內市場年需求約4萬噸～6萬噸，尚有部分進口，蘇州住友可生產各種要求的塑封料產品，在外商獨資企業中占有主要市場份額。
電子特種氣體 由于產品的特點、技術和投資等諸多方面的原因，國內電子特種氣體產品在性能與生產規模方面，都與國外相比有較大的差距，有些品種的電子特種氣體產品市場大部分被國外幾家大公司所占領。國內有的品種已在市場競爭中占有一定的優勢，如NF3、SF6、SiHCl3和部分Mo源等。這對平衡國際電子特種氣體在中國的價格起到了重要的作用。
部分專用金屬材料可滿足內需
引線框架材料 國內引線框架以銅框架為主，帶材生產廠家四五家，主要有洛陽銅加工廠、寧波興業銅業公司等，市場規模約4萬噸/年～5萬噸/年，產量約在5000噸。集成電路用引線框架銅帶大部分依賴進口，分立器件用引線框架銅帶自給率較高。引線框架生產廠家有近十家，其中外資有三井、豐山等，國內主要企業是寧波康強電子股份有限公司、廈門永紅電子有限公司和天水749廠等。
鍵合金絲 國內生產企業約5家，主要有招遠賀利氏貴金屬集團、寧波康強電子有限公司等，2005年國內鍵合金絲產量已超過7000公斤。目前，國內金絲可滿足內外資企業的要求，并有少量出口。
相關鏈接： “十一五”期間電子材料行業發展規劃
微電子基礎配套材料 通過對引進關鍵設備的消化、吸收改進和再創新，形成拋光片和外延片的高技術產業基地；掌握千噸級多晶硅的生產技術，滿足國內微電子和太陽能電池產業發展的需求；實施高溫、高頻、大功率GaN基異質結構材料和器件產業化示范工程；光刻膠、電子化學品等實現產業化。
光電子材料 半導體激光器材料生長與芯片產業化基地建設；低水峰光纖產業化；大尺寸光纖預制棒和高速拉絲等光纖新工藝的中試生產；新型通信光纖以及特種光纖產業化。
平板顯示材料 開發TFT-LCD液晶材料生產技術，并實現批量生產；基片玻璃實現批量生產；TFT-LCD用CF生產技術開發和產業化；開發TFT-LCD用寬幅、高偏振度、高可靠性產品。
半導體照明器件材料 建設功率型、高亮度GaN基LED用襯底、外延、芯片產業化生產線，滿足國內市場的需求；半導體照明配套基礎材料(如MO源、氨氣、熒光粉等)的產業化，降低生產成本，提高相關產品國際競爭力；以平板照明產業化為目標，建設OLED平板光源中試線，開發高效綠、藍、紅和白色OLED材料及器件，形成自主知識產權并實現小批量生產。
磁性材料 高工作溫度、汽車用釹鐵硼材料和各向異性粘結稀土永磁材料產業化；提高產品檔次，繼續保持高市場占有率，開發新品種。
電子陶瓷 研發無鉛、鎘、汞、鉻等有害的環保綠色新介質陶瓷材料；高性能、交流電壓陶瓷電容器所需的抗交流電壓值高，綜合性能優良的新型環保介質陶瓷；MLCC陶瓷低成本，研究以賤金屬作為電極的瓷料。
全固態激光材料 大直徑、高光學質量激光晶體，非線性光學晶體批量生產和晶片制備與高損傷閾值光學鍍膜關鍵技術；大功率半導體激光材料，特別是無鋁半導體激光材料，激光器、列陣與激光光纖模塊批量生產技術。
新能源材料 動力電池和儲能電池的相關材料，包括：動力電池正極材料產業化，高功率、大容量新型負極材料的產業化等；氫能和燃料電池的關鍵材料及器件的開發。
覆銅板材料 發展低介電常數覆銅板以及市場需求大的撓性覆銅板、BGA、CSP用聚酰亞胺(PI)膜、BT樹脂、液體環氧塑封料。
合金焊料 開發具有自主知識產權的無鉛焊料、焊球品種，制定相應技術標準。
壓電晶體 為高頻SAW器件提供合格低缺陷壓電晶體材料；為SAW器件及BAW器件的高頻化提供精密加工壓電晶體材料，加快次壓電晶體產品的產業化進程。