全球記憶體制造商南韓三星公司電子12日表示，將投資6,183億韓元（6.46億美元）興建新的記憶體生產線，以滿足市場需求，并降低生產成本。但三星并未說明新生產線是要生產NAND快閃記憶晶片或動態存取隨機存記憶體（DRAM），也未透露預定投產時間。新生產線是三星今年總計9.4兆韓元資本支出的一部份，去年三星的資本支出達10.04兆韓元。
      分析師預測，新生產線可能同時生產NAND快閃記憶體及DRAM，但以前者為重。NAND快閃記憶體是MP3播放機及數位相機的零件。Meritz證券公司分析師李善泰（譯音）說：“新生產線將生產兩種晶片，快今年就可投產，但全面投產可能要到明年上半年。”他說，生產NAND快閃記憶體將使用63奈米技術，DRAM將使用80奈米技術。
      在年度9.4兆韓元的資本支出預算中，三星季已用掉2.28兆韓元興建新廠。三星發言人說：“三星計劃興建新的晶片生產線，即第15號生產線，將用于生產12寸晶圓。”跟上一代的8寸晶圓相較，12寸晶圓多可節省三分之一成本。
      位于首爾南方華城的第15號生產線，將加入三星第12號、13號及14號生產線，共同生產12寸晶圓。看準NAND快閃記憶體的高成長潛力，包括海力士半導體公司（Hynix）及東芝等制造商，也都加緊投資NAND快閃記憶體。
      李善泰說：“照此情形看來，三星的新生產線應該會生產較多NAND快閃記憶體，因為目前DRAM市場需求較低。”