力晶布局高階快閃記憶體再傳捷報，與瑞薩半導體的快閃記憶體授權關系，將從１ＧＢ擴展到４ＧＢ，同時代工合約也同步放大。
      力晶宣布正式進軍主流快閃記憶體市場，繼年初獲得日商瑞薩半導體１ＧＢ的快閃記憶體制造授權， 隨著插卡式手機數位相機等擴充記憶體的強烈需求 雙方達成技轉合作協議，力晶加碼資本支出至700億元搶攻快閃記憶體商機 力晶半導體與日商瑞薩科技（Renesas）六月一日宣布，簽訂4Gb AG-AND快閃記憶 體技轉和產銷合作協議。
      力晶并決定將今年度資本支出加碼到新臺幣七百億元，擴大旗下12M廠的裝機規模，與盟友瑞薩攜手拓展全球商機。
      這項新協議是延續力晶與瑞薩雙方在今年一月所達成的1Gb AG-AND快閃記憶體合 作，進一步將產品線擴展至更高容量的4Gb機種。
      透過這項新合約，力晶半導體將 可全力投入高容量快閃記憶體市場，爭取快速成長中的龐大商機；而瑞薩科技則將 獲得力晶旗下十二寸晶圓廠的高效率產能支援，強化該公司對既有快閃記憶體產品 客戶的服務。
      力晶半導體董事長黃崇仁博士指出，鑒于快閃記憶體市場需求快速成長，包括三 星、美光在內的全球主要DRAM大廠均已大舉投入，為避免我國記憶體產業在此新興 領域缺席，力晶決定導入瑞薩的先進技術，結合力晶的高效率量產優勢，共同開拓 商機。
      同時，因應快閃記憶體的量產布局，力晶決定將今年度資本支出（CAPEX） 由原先的新臺幣六百億元增加到七百億元，以加速該公司十二寸晶圓產能的擴增， 因應高容量快閃記憶體與DRAM市場成長的需求。
      力晶于今年一月斥資逾新臺幣五十億元，向旺宏電子購入十二寸晶圓廠房并命名為 12M廠。
      針對12M廠的裝機進度，該公司總經理謝再居博士透露，力晶現正加緊安裝 12M廠的自動化生產控制系統，并催促設備供應商縮短機臺交貨時程，預計自今年 第四季新廠開始量產快閃記憶體，新增的資本支出將可使12M廠的產能在今年底拉 升到每月二萬片，搭配力晶既有的12A、12B廠每月八萬五千片產能，將可迅速建構 快閃記憶體與DRAM兩大產品線的量產經濟規模。