International Sematech公司的ATDF部門和德克薩斯大學奧斯汀分校(UT-Austin)日前宣布，合作成立納米電子技術預研R&D中心(Advanced Processing and Prototyping Center, AP2C)。 
       美國國防部研究計劃局(Defense Advanced Research Projects Agency，DARPA)為該中心提供了大約500萬美元的資助，以加速的納米電子技術的發展。 
       AP2C將利用德克薩斯大學奧斯汀分校(UT-Austin)、德克薩斯大學達拉斯分校(UT-Dallas)、Sematech和ATDF現有的辦公室和實驗室，大約200名教授、研究生、工程師和制造技術人員參與研究。 
       AP2C的項目將涉及到納米線、硅鍺碳(silicon germanium carbon)結構、納米壓印(NIL, Nano Imprint Lithography)、用硅邦定高遷移率復合半導體(high-mobility compound semiconductors)組成的襯底。其他技術將包括定向自裝配模型(directed self-assembly for patterning)、混合復合材料、自旋電子式內存(spintronics memory)、量子傳輸和光互連。 
       AP2C還將完善2004年Sematech與德州大學之間的由政府資助的合作項目Advanced Materials Research Center (AMRC)。由ATDF負責對各個項目完成的試驗型設備和結構進行快速的生產評估。