日前，上海宏力半導(dǎo)體和ARM公司共同宣布，宏力半導(dǎo)體獲得ARM7TDMI和ARM926EJ處理器以及相關(guān)的ARM Embedded Trace Macrocell(ETM9)片上調(diào)試外設(shè)，從而加入了ARM代工廠計劃。這項(xiàng)授權(quán)協(xié)議標(biāo)志著宏力半導(dǎo)體次獲得ARM CPU的授權(quán)，這將幫助宏力半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)更快的片上系統(tǒng)設(shè)計和制造的上市時間。宏力半導(dǎo)體全球銷售和市場執(zhí)行副總裁郭天全博士表示：“我們同ARM的合作將會為我們現(xiàn)有的和新的無晶圓廠客戶提供更多的設(shè)計選擇、更短的設(shè)計周期和更快地上市時間。通過ARM代工廠計劃，我們獲得了為諸多嵌入式計算應(yīng)用制造高性能、低功耗SoC設(shè)計所需的工具和支持。”

       這次授權(quán)協(xié)議是在去年9月宏力半導(dǎo)體獲得ARM Artisan物理IP的基礎(chǔ)上簽訂的。上次授權(quán)內(nèi)容包括Sage-XTM標(biāo)準(zhǔn)單元庫、通用I/O和內(nèi)存發(fā)生器，用于支持宏力半導(dǎo)體的0.18微米和0.13微米工藝技術(shù)。通過這一新的代工廠計劃授權(quán)，宏力半導(dǎo)體將可以充分利用ARM7TDMI和ARM926EJ處理器和ETM-9片上調(diào)試外設(shè)。根據(jù)代工廠計劃的條款，雙方的客戶都可以快速整合及完成包含這兩種芯片中任一款的SoC設(shè)計。ARM7TDMI處理器目前可在0.18微米工藝下提供，ARM926EJ處理器和ETM9宏單元將首先在0.13微米工藝下提供，未來將在其他工藝下提供。

       ARM中國總裁譚軍博士表示：“宏力半導(dǎo)體對ARM代工廠計劃的支持將會使我們的無晶圓廠半導(dǎo)體合作伙伴可以使用全系列的處理器技術(shù)，加快他們產(chǎn)品的上市時間。我們同宏力半導(dǎo)體的合作進(jìn)一步充實(shí)了ARM技術(shù)所能提供的服務(wù)，并將幫助中國電子市場的進(jìn)一步發(fā)展。”