根據(jù)EE Times報(bào)導(dǎo)，NOR快閃記憶體市場(chǎng)近年受到NAND的強(qiáng)烈沖擊，這個(gè)領(lǐng)域的供應(yīng)商也從善如流，修正了它們的策略。NOR flash過(guò)去多年強(qiáng)力主宰了行動(dòng)電話(huà)的記憶體應(yīng)用，用于code儲(chǔ)存與其他用途，但近年在這個(gè)市場(chǎng)面臨來(lái)自NAND的強(qiáng)力競(jìng)爭(zhēng)；比較新穎而多功能的手機(jī)，現(xiàn)在利用更多NAND flash進(jìn)行資料儲(chǔ)存。NAND元件比NOR更具有成本效益，而且更適合高密度應(yīng)用。根據(jù)iSuppli的資料，在2005年度生產(chǎn)的手機(jī)中，有9000萬(wàn)臺(tái)加入NAND記憶體作為資料儲(chǔ)存，大約占有去年度出貨量的10%；該公司預(yù)測(cè)到了2010年度將有6億5000萬(wàn)臺(tái)手機(jī)具備N(xiāo)AND，占有整體出貨量的60%。
      NOR領(lǐng)域的前三大供應(yīng)商Intel、Spansion與STMicroelectronics，之前針對(duì)NAND的挑戰(zhàn)提供新的解決方案來(lái)保有NOR在手機(jī)領(lǐng)域的主宰地位；這些解決方案主要是將NOR結(jié)合其他型態(tài)的記憶體，包括SRAM、pSRAM(pseudo SRAM)與SDRAM，以提供完整的code與資料儲(chǔ)存記憶體次系統(tǒng)。不過(guò)這樣的作法并不奏效，隨著NAND持續(xù)攻城掠地，現(xiàn)在Intel、Spansion與STMicroelectronics已經(jīng)明白它們?nèi)绻掷m(xù)在手機(jī)市場(chǎng)保有競(jìng)爭(zhēng)地位，則必須提供每位元成本比NOR更低的資料儲(chǔ)存產(chǎn)品。有鑒于此，這三家供應(yīng)商都已經(jīng)改變策略，提供NAND或其他非NOR產(chǎn)品，但它們必須面對(duì)NAND領(lǐng)域前三大供應(yīng)商的強(qiáng)力競(jìng)爭(zhēng)，它們是Samsung Electronics、Hynix Semiconductor與Toshiba，這三大供應(yīng)商占有2005年度NAND市場(chǎng)產(chǎn)值的88%。
      iSuppli估計(jì)手機(jī)所采用的任何型態(tài)記憶體在2005年度的產(chǎn)值為43億美元，預(yù)測(cè)到了2010年度將成長(zhǎng)至76億美元，規(guī)模非常龐大，值得各方英雄好漢加入爭(zhēng)奪。Intel與STMicroelectronics采取的策略，是與其他記憶體供應(yīng)商結(jié)盟，以求迅速攻占NAND市場(chǎng)。例如，Intel與Micron Technology合作成立IM Flash Technologies公司，并且在今年季開(kāi)始少量出貨來(lái)自于IM Flash的NAND元件。Micron在2005年度中總共出貨了2億3800萬(wàn)美元的NAND，IM Flash可望協(xié)助Micron在2006年度成為更重要的NAND供應(yīng)商。Intel與Micron的結(jié)盟，將會(huì)明顯擴(kuò)大這兩家公司今年度NAND的營(yíng)收，它們?cè)?007年度的影響將更鉅大，因?yàn)閺慕衲晗掳肽觊_(kāi)始，它們將采用Intel的MLC(Multi-Level-Cell) flash技術(shù)于NAND上。
      至于STMicroelectronics，該公司是透過(guò)與Hynix的制造協(xié)議而擴(kuò)大在NAND領(lǐng)域的力量。雙方系在一年多前開(kāi)始合作，STMicroelectronics在2005年度出貨了2億1400萬(wàn)美元的NAND元件，今年更可望有明顯的增加。Intel與STMicroelectronics這些作法，不但可以加強(qiáng)它們?cè)谑謾C(jī)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)地位，更可讓它們進(jìn)入消費(fèi)性電子與運(yùn)算這些規(guī)模大了許多的新市場(chǎng)。
      至于Spansion，該公司將NOR/two-bit-per-cell MirrorBit技術(shù)重新發(fā)展為ORNAND產(chǎn)品，結(jié)合一個(gè)類(lèi)似NAND介面與一個(gè)NOR記憶體架構(gòu)。雖然表面上看來(lái)，這樣的作法比較奇特，因?yàn)樗€是一個(gè)比較偏向于NOR的產(chǎn)品，但是MirrorBit產(chǎn)品頗受手機(jī)制造商的青睞。而且MirrorBit未來(lái)也許能在每個(gè)transistor gate中儲(chǔ)存四個(gè)位元，使ORNAND更適合作為資料儲(chǔ)存的解決方案。這三大NOR供應(yīng)商未來(lái)在NAND領(lǐng)域的發(fā)展，值得密切關(guān)注。