DRAM合約價自今年 1月出現(xiàn)止跌反彈的訊號，DDR2 2月展現(xiàn)凌厲的漲勢，3月持續(xù)攻堅，原本市場預(yù)計 3月下旬價格將有機會向下，但由于DRAM大廠生產(chǎn)線問題，影響3月下旬至4月一整月產(chǎn)出，也使 4月DDR2/DDR呈現(xiàn)雙缺，而甚至有些廠商于 4月下旬微幅調(diào)漲價格，使 DRAM價格走勢在去年第 4季旺季，呈下跌趨勢，而今年第 1季淡季卻呈上漲趨勢，也使DRAM價格的趨勢預(yù)測更加詭譎難辨。 
      臺某機構(gòu)預(yù)估DDR2在 4月合約價維持持平或小漲，因此即使5月及6月的月均價下跌幅度不超過10%，第2季DDR2合約價均即可能高于第 1季合約價。臺某機構(gòu)進一步指出，DDR2因為今年價格在上半年已在，在旺季價格高漲機會相對減小。
      臺某機構(gòu)預(yù)期大部份DRAM廠在第 2季底至下半年產(chǎn)出預(yù)期每季皆會成長 2位數(shù)以上。因此若Q3僅達到每月2-3%的漲勢，第3季DDR2價格仍會略低于第2季合約價，若第4季有機會持續(xù)上漲，則第4季有機會成為2006 年DDR2 ASP的一季。
      NAND Flash現(xiàn)貨市場上，在 3月季底做帳壓力下，廠商持續(xù)倒貨至現(xiàn)貨市場，使 3月NAND Flash現(xiàn)貨價自月初到月底大跌30-40%。而且， Samsung的顆粒跌幅更甚于 Hynix。4月份，Samsung開始減少出貨量及出貨頻率，以期穩(wěn)住市場價格，因此市場價格于 4月初小幅反彈后，即呈現(xiàn)小波動趨勢。
      但由于市場末端需求如數(shù)位相機， MP3皆需求不旺，因此無法帶動Flash記憶卡買氣。加上Hynix于 4月初開始出8Gb/4Gb MLC顆粒至市場，4月中下旬出貨量增加顯著，且價格遠比之前的 8Gb/4Gb SLC低，也使買方對價格趨勢不明朗下，因而采觀望態(tài)度。
      臺某機構(gòu)指出，上周市場主要的需求在 2Gb及 16Gb，大部份的買家因中國五一長假及新貨即將到達，皆仍維持觀望態(tài)度，進場意愿不高，之前所預(yù)期的長假補貨效應(yīng)因價格趨勢不明朗，并未浮現(xiàn)。
      不少市場觀察者期待NAND Flash合約價在大跌后，有反彈契機，但市場人士指出，由于消費性末端需求尚未浮現(xiàn)，Toshiba flash card 1GB/2GB近的盤價仍往下走，對NAND Flash合約價在短期內(nèi)反彈上漲的看法不表樂觀。