臺某機構發布的記憶體市場行情指出，由于NAND Flash終端應用產品對NAND Flash的需求遠不如之前預期，下游廠商手上的庫存量并未隨著Samsung的鎖貨策略而完全消化。下游廠商處在月底供貨的狀況下，紛紛開始調節手上的庫存，因而造成所有NAND Flash的現貨價格全部下跌。其中，又以現貨市場平時需求較小的16Gb、8Gb和1Gb跌幅，這三種規格的跌幅均超過10%以上，遠遠大過各自在6月時的現貨價格跌幅。
       臺某機構表示，月底到貨效應出現，NAND Flash價格在七月的一周出現大幅度向下修正，在NAND Flash大廠Samsung采取鎖貨策略長達三周之后，終于在上周開始供貨給客戶；而另一廠商Hynix則是固定在每月的第四周供貨給大中華地區的客戶，因此，上周NAND Flash現貨市場各種產品規格的供給端開始處于供給過剩的狀態。
       回顧過去一年所有規格的NAND Flash價格走勢，臺某機構表示，除了去年第三、四季因為Apple的iPod Nano和Shuffle熱賣造成NAND Flash供給端貨源吃緊導致現貨價格往上攀升之外，其余時間整個NAND Flash市場的現貨價格走勢完全吻合。
       以目前這個時間點來看，NAND Flash的價格在未來一至二周內，尚無明顯的刺激因素可以驅使整個現貨價格往上漲，頂多在供應商采取適當的緊縮策略下，使整個NAND Flash現貨市場的價格波動可以再度回到穩定的狀態。
       臺某機構認為，唯有等到下一個熱賣的NAND Flash終端應用產品出現時，NAND Flash的現貨價才有可能重演去年下半年的榮景。
       至于在DRAM市場方面，七月下旬現貨市場DDR與DDR2價格漲跌互見，在力晶即將停產DDR 256Mb(32x8)顆粒消息刺激下，DDR 256Mb價格漲勢較為強勁，DDR 256Mb與DDR 256Mb eTT顆粒分別上漲至2.71美元以及2.68美元。而DDR 512Mb(64Mbx8) 400MHz也連帶受到激勵上漲至5.23美元，遠超過DDR2顆粒價格。
       DDR2部分，目前貿易商及模組廠手中庫存水位偏高。而由于接近月底因此各家廠商開始拋出手中庫存，DDR2 512Mb 533MHz以及DDR2 512Mb 667MHz價格分別回檔至4.52以及4.7美元。而力晶的DDR2 eTT多為667MHz且價格相對主流顆粒便宜，因此，仍有廠商愿意進場拉抬，使得價格小幅上漲并且與DDR2 512Mb 533MHz價差逐漸拉近。
       在合約市場方面，DDR及DDR2還是處于供給吃緊狀態，主要原因在于電腦系統大廠的需求持續攀高，而DRAM廠商供給增加幅度不及需求增加幅度。臺某機構預估8月DDR2合約價格每次仍有2-3%漲幅可預期。
       目前DDR2 512MB模組已經不容易見到40美元以下的合約價格。因此，預期在8月上旬部分價格太低的合約價格將會調漲至正常水準。整體而言，臺某機構預期DDR2合約市場價格仍將緩步上漲。512MB均價至九月底可望達到44至45美元。DDR模組在九月底前，應持續維持，預估在十月后，隨著需求減少，價格可能向下修正。