NAND FLASH止跌行情跡象浮現(xiàn)。外電報導，南韓三星、海力士（Hynix）宣布今年以來首度調(diào)高快閃晶片售價，NAND價格透露需求回升的征兆，供給過剩紓解。
       由于三星和海力士合計占記憶體晶片市場約六七％，具市場影響力；昨日臺灣模組廠商股價同步逆勢攀揚。
       現(xiàn)貨報價NAND FLASH價格呈現(xiàn)止跌攀揚態(tài)勢；其中NAND 16Gb 上揚○．○八％，2Gb上漲○．五七％，至于4Gb 、8Gb均為持平表現(xiàn)。
       創(chuàng)見目前DRAM、Flash所占營收比重約五比五，DRAM產(chǎn)品中，DDR2約占三成，DDR1約七成左右。
       即使首季FLASH價格大幅重挫，創(chuàng)建仍維持優(yōu)于同業(yè)水準的穩(wěn)健表現(xiàn)。當前毛利率表現(xiàn)，創(chuàng)見表示，內(nèi)部在三月底價錢很低時有作補貨動作，在四月價格上揚時出貨，使利潤提升，推估四月毛利率可望比季九．三二％水準，向上拉升。
       外電報導，南韓三星、海力士表示，已在四月份，進行今年來的首度調(diào)高快閃晶片售價，因市場供過于求情形紓解。據(jù)集邦科技Dramexchange.com表示，NAND合約價格上一次上漲是在去年九月。
       三星認為，今年全球NAND型快閃記憶體供給將較需求略為短缺○．五％，第二季需求料將因價格于季大減而開始復蘇；第三季價格或有止跌上揚的機會。
       去年NAND FLASH銷售攀升五五％，超過其他半導體產(chǎn)品。
       根據(jù)世界半導體產(chǎn)業(yè)交易統(tǒng)計，年銷售至少達一百億美元；今年NAND銷售預估將成長二八％。