NAND FLASH止跌行情跡象浮現(xiàn)。外電報(bào)導(dǎo)，南韓三星、海力士（Hynix）宣布今年以來首度調(diào)高快閃晶片售價(jià)，NAND價(jià)格透露需求回升的征兆，供給過剩紓解。
       由于三星和海力士合計(jì)占記憶體晶片市場約六七％，具市場影響力；昨日臺(tái)灣模組廠商股價(jià)同步逆勢攀揚(yáng)。
       現(xiàn)貨報(bào)價(jià)NAND FLASH價(jià)格呈現(xiàn)止跌攀揚(yáng)態(tài)勢；其中NAND 16Gb 上揚(yáng)○．○八％，2Gb上漲○．五七％，至于4Gb 、8Gb均為持平表現(xiàn)。
       創(chuàng)見目前DRAM、Flash所占營收比重約五比五，DRAM產(chǎn)品中，DDR2約占三成，DDR1約七成左右。
       即使首季FLASH價(jià)格大幅重挫，創(chuàng)建仍維持優(yōu)于同業(yè)水準(zhǔn)的穩(wěn)健表現(xiàn)。當(dāng)前毛利率表現(xiàn)，創(chuàng)見表示，內(nèi)部在三月底價(jià)錢很低時(shí)有作補(bǔ)貨動(dòng)作，在四月價(jià)格上揚(yáng)時(shí)出貨，使利潤提升，推估四月毛利率可望比季九．三二％水準(zhǔn)，向上拉升。
       外電報(bào)導(dǎo)，南韓三星、海力士表示，已在四月份，進(jìn)行今年來的首度調(diào)高快閃晶片售價(jià)，因市場供過于求情形紓解。據(jù)集邦科技Dramexchange.com表示，NAND合約價(jià)格上一次上漲是在去年九月。
       三星認(rèn)為，今年全球NAND型快閃記憶體供給將較需求略為短缺○．五％，第二季需求料將因價(jià)格于季大減而開始復(fù)蘇；第三季價(jià)格或有止跌上揚(yáng)的機(jī)會(huì)。
       去年NAND FLASH銷售攀升五五％，超過其他半導(dǎo)體產(chǎn)品。
       根據(jù)世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)交易統(tǒng)計(jì)，年銷售至少達(dá)一百億美元；今年NAND銷售預(yù)估將成長二八％。