根據市場研究機構SMA的報告，2006年第二季有多達11座新晶圓廠開始興建，其中有8座將在2007年上線運轉，加計后約有35座新晶圓廠在2007年上線投產，屆時將使全球半導體業界總產能達到水位，估計每月產能達200萬片（約當8寸晶圓），比目前現有產能增加多達17％，其中有高達60％的產能規劃在DRAM、快閃記憶體（Flash）等記憶體事業。觀察半導體業界長達20年的SMA總裁George Burns認為，2007年恐將面臨產能過剩危機。
      　Burns指出，2007年會面臨一些產能過剩的危機，主要的原因是屆時將會有大量的記憶體晶片產能開出。他以自身觀察半導體20年來的經驗指出，從未看過2007年產能成長到如此充沛的盛況，并認為這35座晶圓廠于2007年上線運轉時，所購買之生產設備總價值將高達560億美元，且在2～3年時間內達到產能滿載階段。
      　根據SMA的報告，2007年將上線投產的12寸晶圓廠以垂直整合（IDM）半導體廠為主，包括東芝（Toshiba）與新帝（SanDisk）合資的FlashPartners、英特爾（Intel）與美光（Micron）合資的IM Flash、韓廠三星電子（Samsung Electronics）與海力士（Hynix）、臺廠力晶（5346）、茂德（5387）與南亞科（2408）。而晶圓代工業則有臺積電（2330）、大陸晶圓代工業者中芯國際、上海華虹等業者。
      　其中，以東芝和新帝合資的FlashPartners動作，在2008年以前將有3座新的12寸廠上線投產，每1座廠的月產能可達到10萬片晶圓，將會超越目前全球Flash產能的韓廠三星。
      　SMA也指出，半導體廠對于設備的支出持續升高，讓應用材料（Applied Materials）、KLA-Tencor與Lam Research等半導體設備廠受益。SMA預估，2006年半導體廠的資本支出將較2005年增加14％，并在2007年增加10％，達到590億美元，接近2000年的歷史高點615億美元。