存儲器市場研究機構DRAMeXchange日前表示，在現貨市場，在模塊廠商及分銷商手中均備有DDR庫存狀況下，上周（6月13日-20日）DDR價格微幅走跌。DDR 256Mb(32Mb*8)400MHz價格小跌至2.39美元，DDR 512Mb (64Mb*8)400MHz，價格小跌至4.84美元。至于DDR eTT部份，在上周力晶半導體公布價格之后，價格隨即開始走跌，DDR 256Mb eTT上周價格由2.37美元下跌至2.35美元。

英特爾CPU降價期望影響需求，6月下旬DRAM價格壓力浮現

       至于DDR2部分，隨著幾家臺灣地區廠商DDR2比例增加，DDR2價格下跌壓力開始浮現，DDR2 533MHz 512Mb(64Mb*8)價格下跌至4.73美元。DDR2 512Mb 64Mx8 eTT(UTT)價格則下跌在3.66美元。

       合約市場部分，6月下旬DRAM合約價格普遍已有下滑現象，DDR模塊部分，盡管DDR仍處于供給吃緊狀態，但是在PC OEM廠持續殺價壓力下，DDR在low的價格已出現松動。至于DDR2模塊部分，價格平均下跌4-5%。

       從市場供需分析，目前無論是DDR或DDR2需求均十分疲弱，主要原因在于英特爾預告CPU7月份將大降價，所有買家都在等待降價造成PC市場需求推后。而在供給方面，由于6月底為半年報的結算時間，因此DRAM廠為了使賬面庫存減少，只要價格在可以接受的水平將努力出清庫存，因此6月下旬DRAM價格出現明顯下跌。

       雖然目前市場需求因英特爾CPU降價而推遲，預計8月以后市場需求將逐漸回籠，屆時DRAM價格也才會有比較好的表現。但是從歷史經驗來看，DRAM價格的決定往往是決定于供給端變化，因此除非DRQAM廠制程出問題影響供給，否則第三季DRAM價格旺季走勢上漲空間也是有限。

NAND閃存現貨市場買氣平淡

       整體而言，上周NAND Flash現貨市場的買氣十分平淡，主要原因在于各下游廠商五月下旬所訂的貨在六月的前兩周都有準時到貨。基于這個因素，多數下游廠商目前的NAND Flash庫存水位都還足夠，并不急于此時進入現貨市場買貨，因此造成現貨市場需求端方面的買氣普遍平淡。

       在供給端方面，Hynix的4Gb產品價格目前在現貨市場上與Samsung的4Gb產品價格有一段落差，使得許多在現貨市場想要購買Samsung產品的買家都在觀望Samsung的現貨價格能否持續下調。也因此，上周Hynix的MLC產品現貨價格普偏持穩且市場需求量相對于SLC產品來說較大。

       Hynix與Samsung在4Gb這個等級的產品價格會產生落差，一方面是Hynix采用MLC制程，而Samsung的MLC制程并沒有4Gb這個等級的產品；另一方面Hynix目前的MLC制程技術尚未完全成熟，客戶在使用MLC產品時仍有些疑慮存在，因此在現貨市場上Hynix的MLC產品價格與Samsung的MLC產品價格會產生一段落差，這種情形在8Gb的現貨市場也可以看到。

       此外，目前世界杯正在進行，歐洲和南美洲的NAND閃存現貨交易市場幾乎呈現半停頓狀態，也是造成上周現貨市場需求普偏低落的主因之一。