英特爾去年演示了連續波硅激光，但這種新激光產生過多熱量，對CMOS器件應用不實際。加州大學(UCLA)研究人員如今聲稱擁有了解決方案：用光電效應利用額外的熱能，將熱轉換成電能為芯片供電。

研究人員報告說研制出一種脈沖硅激光，可在角逐中勝英特爾一籌。但這種激光不能連續工作，因為它會產生額外的熱電子。2005年，英特爾開發出一種用于沉沒熱電子的技術，為連續波硅激光掃清了道路，但版本不能利用過剩能量。

UCLA稱，他們此次又一次超越了英特爾，向業界展示了如何將Raman散射結構應用于CMOS器件，以利用自熱電子而來的過剩能量產生動力。Raman散射裝置回避了硅的間接能帶隙，這種間接能帶隙會阻止正常激光發射。Raman散射通過雙光子吸收進行運作，過程中會產生熱電子，以及隨之而來的額外熱能。