意法半導(dǎo)體(ST)率先在通用閃存微控制器系列產(chǎn)品內(nèi)集成以太網(wǎng)接口、ARM9E處理器核心和大容量嵌入式SRAM和閃存。新的STR910F系列為基于ARM的閃存微控制器確立了新的性價(jià)比和網(wǎng)絡(luò)接入標(biāo)準(zhǔn)，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員將功能強(qiáng)大的嵌入式控制應(yīng)用轉(zhuǎn)化成低成本的局域網(wǎng)或互聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)帶來了許多新的機(jī)遇。

       STR910F系列的設(shè)計(jì)目的是滿足市場(chǎng)對(duì)高性能嵌入式控制應(yīng)用的日益增長的需求和實(shí)現(xiàn)以太網(wǎng)接入功能。這些芯片是ST對(duì)取得成功的STR7XX系列ARM7TDMI微控制器的自然擴(kuò)展。收款機(jī)終端及外設(shè)、售貨機(jī)、工控機(jī)及工廠自動(dòng)化、串行協(xié)議網(wǎng)關(guān)、樓宇自動(dòng)化、安全監(jiān)控和手持儀表等應(yīng)用日益需要更高的性能和聯(lián)網(wǎng)功能。此外，這些應(yīng)用設(shè)備還需要容量更大的程序/數(shù)據(jù)閃存，特別是SRAM存儲(chǔ)器。

       STR910F產(chǎn)品采用了比ARM7TDMI更先進(jìn)的ARM966E-STM核心。RM966E-STM CPU分別使用兩條內(nèi)部總線來存取指令存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，從而能夠同步進(jìn)行代碼和數(shù)據(jù)的存取操作。每個(gè)內(nèi)存都通過一個(gè)高度優(yōu)化的緊耦合接口(TCM)連接CPU，存取速度非?？?。STR910F充分利用這種架構(gòu)的優(yōu)勢(shì)，在指令TCM接口上連接一個(gè)高速脈沖串式閃存，在數(shù)據(jù)TCM接口連接一個(gè)零延時(shí)SRAM存儲(chǔ)器。這樣設(shè)計(jì)的結(jié)果是，在96MHz(通用閃存ARM式微控制器的性能)下，代碼執(zhí)行速度高達(dá)96MIPS，數(shù)據(jù)在CPU核心和SRAM之間的傳遞效率非常高。相比之下，ARM7TDMI CPU核心用一條總線存取指令內(nèi)存和數(shù)據(jù)內(nèi)存，因此同時(shí)存取這兩個(gè)存儲(chǔ)器是不可能的。此外，ARM966E-STM核心支持單循環(huán)數(shù)字信號(hào)處理(DSP)指令，使STR910F能夠同時(shí)滿足控制和信號(hào)處理兩種要求，其優(yōu)勢(shì)明顯高于DSP和控制處理器分立的傳統(tǒng)解決方案。ARM966E-STM的所有優(yōu)勢(shì)使STR910F系列產(chǎn)品處于內(nèi)置閃存的32位微控制器的高端市場(chǎng)。

       ARM9E傳統(tǒng)上被用于設(shè)計(jì)無ROM的微處理器，這類處理器的存儲(chǔ)器管理單元(MMU)非常復(fù)雜，需要內(nèi)部高速緩存和外部同步RAM與之配合，所有代碼需要在啟動(dòng)階段從一個(gè)外接閃存載入內(nèi)存。然而，STR910F無需傳統(tǒng)的高速緩存和外部存儲(chǔ)器就可引入ARM9E核心的很多優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)一個(gè)尺寸緊湊的單片閃存微控制器。STR910F利用一個(gè)高速緩存代替MMU，其支持的單存儲(chǔ)器模型非常適合實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)(RTSO)。它采用一個(gè)含有預(yù)取隊(duì)列和分支緩存系統(tǒng)的創(chuàng)新的存儲(chǔ)器加速器，以便在從脈沖串閃存開始的非順序代碼執(zhí)行的期間提高系統(tǒng)性能，同時(shí)實(shí)時(shí)控制特性優(yōu)于傳統(tǒng)的高速緩存。

       STR910F被嵌入大容量的存儲(chǔ)器，以支持RTOS和TCP/IP協(xié)議棧，以及復(fù)雜的控制應(yīng)用。其SRAM容量高達(dá)96KB，是目前內(nèi)置閃存的ARM通用微控制器市場(chǎng)上容量的SRAM，這個(gè)容量非常適合速度更快的串行通信的大數(shù)據(jù)包緩存應(yīng)用。與眾不同的是，新IC通過一個(gè)電池或與電池輸入引腳相連的超大電容保護(hù)SRAM的安全；或者根據(jù)STR910F篡改檢測(cè)輸入引腳發(fā)送的信號(hào)，安全應(yīng)用可以自動(dòng)刪除SRAM的內(nèi)容。閃存容量高達(dá)544KB，可設(shè)置成雙存儲(chǔ)庫的讀寫同步存儲(chǔ)器，以支持遠(yuǎn)程更新固件所需的“在應(yīng)用編程”以及EEPROM仿真。SRAM和閃存都可用于指令或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。

       STR910F配有多條高速信道，共有9條全功能直接存儲(chǔ)器存取(DMA)通道支持這些信道，使外設(shè)與內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)傳輸對(duì)于CPU幾乎是透明的，將CPU從沉重的傳輸負(fù)荷中解放出來，使之去執(zhí)行綜合性的實(shí)時(shí)控制任務(wù)。這些DMA控制器能夠讓SRAM以為先進(jìn)高性能總線(AHB)和先進(jìn)外設(shè)總線(APB)上的外設(shè)是一個(gè)主控制器，通過一個(gè)為簡化數(shù)據(jù)流專門設(shè)計(jì)的仲裁器，這兩條總線上的所有外設(shè)與CPU共享對(duì)SRAM的存取權(quán)限。例如：在MAC(媒體訪問控制器)和SRAM之間，以太網(wǎng)DMA控制器支持91 Mbps的原始以太網(wǎng)數(shù)據(jù)幀傳輸速率，而CPU負(fù)荷僅為10% 。

       除以太網(wǎng)MAC外，STR910F微控制器還支持一整套外設(shè)。這些外設(shè)接口包括USB全速、CAN、3個(gè)UART/IrDA、2個(gè)SPI、2個(gè)I2C、8路10位模數(shù)轉(zhuǎn)換器、4個(gè)16位定時(shí)器、1個(gè)三相AC電機(jī)控制單元、含有低壓重置和欠壓檢測(cè)功能的電源監(jiān)控器、1個(gè)全功能實(shí)時(shí)時(shí)鐘、1個(gè)外存接口、1個(gè)ETM9 調(diào)試跟蹤接口和多達(dá)80個(gè)5V額定電壓的輸入輸出引腳。

       “STR910F融合了ST很多獨(dú)有的優(yōu)勢(shì)，其中包括我們長期在通用和專用微控制器內(nèi)集成ARM核心的技術(shù)驗(yàn)。”ST微控制器產(chǎn)品部ARM9產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Mark Rootz表示，“ARM966E-S核心與業(yè)內(nèi)容量的內(nèi)存，結(jié)合內(nèi)置的以太網(wǎng)、USB和CAN接口，使新系列的微控制器適合所有的嵌入式控制應(yīng)用?！?/P>

       ST現(xiàn)推出6款產(chǎn)品，均采用無鉛封裝。這些封裝是LQFP80、 LQFP128和 LQFP128，其中LQFP128版IC提供以太網(wǎng)媒體獨(dú)立接口(MII)和外存總線接口。SRAM容量從64KB到96KB，閃存容量從288KB到544KB。CPU核心工作電壓1.8V±10%，I/O電壓范圍2.7V到3.6V，工作溫度范圍-40℃到+85℃。 STR910F系列產(chǎn)品從2006年5月開始供貨，10,000件起價(jià)6.99美元(STR910FM32X6)。