大陸中芯國際計劃在上海新建一座12英寸晶圓廠，快2007年動工興建，對臺灣業(yè)者將造成沖擊。 
      據(jù)臺灣《經(jīng)濟日報》報道，中芯上海12寸廠編號為晶圓8廠，除了做為邏輯制程代工廠，也可能用來生產(chǎn)快閃記憶體（Flash），此舉將沖擊臺積電、力晶等臺灣代工廠在快閃記憶體市場的接單。
      業(yè)界指出，中芯的Flash制程屬于邏輯制程，與目前臺積電用以替飛索（Spansion）代工生產(chǎn)Flash的制程相當接近，未來勢必會出現(xiàn)競爭。
      中芯目前主要業(yè)務(wù)為邏輯與動態(tài)隨機存取記憶體（DRAM）代工，但在大陸快速興起的消費性電子市場需求驅(qū)動下，中芯正計劃自行生產(chǎn)快閃記憶體，日前即與以色列設(shè)計公司Saifun半導體簽約授權(quán)，用以生產(chǎn)快閃記憶卡。
      分析員表示，Saifun已在數(shù)年前與超微（AMD）、富士通簽署相互授權(quán)合約，三方的非揮發(fā)性記憶體（NVM）生產(chǎn)技術(shù)相當接近。飛索即是AMD與富士通合資成立的Flash專業(yè)廠，未來飛索在臺積電代工的Flash訂單是否松動，要看中芯量產(chǎn)的能力與技術(shù)。
      Semico Research分析員伊托指出，中芯上海12寸新廠初期可能會用作邏輯代工服務(wù)，但隨著大陸快閃記憶體市場需求急速上升，也可能轉(zhuǎn)為Flash生產(chǎn)。伊托認為，這將使得中芯的純晶圓代工角色略有轉(zhuǎn)變。
      中芯北京廠已導入90納米制程，成功試產(chǎn)2Gb的儲存型（NAND）Flash晶片，未來上海12寸廠可能將采用Saifun的NROM技術(shù)，結(jié)合成都與新加坡聯(lián)合科技（UTAC）合資的封測廠，生產(chǎn)快閃記憶卡，供應(yīng)大陸市場的需求。