三星宣布已經開始了70nm工藝1GB大容量NAND閃存芯片的批量生產。

       三星的這種芯片被稱為OneNAND，據稱結合了NOR閃存的快速啟動和高速速據讀取特性與NAND的大容量和高速速據寫入特性，穩定讀取速度108Mb/s(傳統閃存的4倍)，穩定寫入速度10Mb/s，同步時鐘頻率83MHz，主要目的是取代傳統硬盤存儲，并面向數碼相機，但不針對手機。

       三星自2003年以來就開始向市場推出OneNAND閃存，此前也已經展示過使用這種芯片的高速MMC記憶卡。

       三星對這種70nm工藝OneNAND芯片的規劃是到2008年銷售10億美元，2010年銷售15億美元。