今天，三星宣布量產70nm工藝制造的1GB Nand閃存。NAND閃存將被運用多種數字產品以及移動硬盤。

    三星表示今年利用NAND閃存優勢的裝置將會變得越來越多，并且將會在2007年取得更大的影響。此前我們報道過，Intel的下一代移動平臺將會用Nand Flash加速系統啟動，減少耗電量。閃存的速度大幅改進，根據三星電子表示他的Nand閃存能夠達到108M/s的持續讀取速度。