Rohm日前開發(fā)出采用導(dǎo)通電阻降至約為原來一半的SiC的功率MOSFET，并將于2006年內(nèi)供應(yīng)工業(yè)樣品。耐電壓900V，導(dǎo)通電阻為3.1mΩ.cm2。在SiC MOSFET中，導(dǎo)通電阻為全球小，只有耐電壓相同、采用硅的DMOS的約1/80或IGBT的約1/6。主要面向工業(yè)設(shè)備及混合動力車的馬達(dá)驅(qū)動電路及電源電路等。  

    據(jù)介紹，此次為降低導(dǎo)通電阻而進(jìn)行的改進(jìn)主要有2點(diǎn)。一是減小了芯片上集成的多個(gè)功率MOSFET單元的體積。單元面積從原來的16μm×16μm減小到了10μm×10μm。另一點(diǎn)是采用了可將溝道載流子遷移率提高至原來3倍～4倍的柵極絕緣膜形成工藝。  

    試制品的芯片尺寸為0.9mm×0.9mm。該公司介紹，通過將導(dǎo)通電阻大約降至原來的一半，成功地將芯片面積減小到了1/3～1/2左右。 

來源：電子工程專輯