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      三星“暫別”8千兆位NAND閃存,暗自發力4位/cell技術

      更新時間: 2006-07-29 09:09:01來源: 粵嵌教育瀏覽量:487

      據市場調研公司American Technology Research Inc.,三星電子已推遲8千兆位NAND閃存芯片的發貨,但該公司正在悄悄地開發一種4位/cell NAND技術。

      據American Technology Research Inc.,上述消息是三星在公布第二財季業績時披露的,顯示三星把8Gbit multi-level-cell (MLC) NAND發貨期推遲了“一個季度”。

      與此同時,三星在擴大其產品組合。American Technology Research的分析師Satya Chillara在一份報告中表示:“三星正在提出自己版本的4位/cell技術,計劃在2008年投產。”

      三星的技術將與以色列公司M Systems Flash Disk Pioneers Ltd.和Saifun Semiconductors Ltd.,以及其它公司進行競爭。M Systems表示,它預計在2007年初開始大規模生產其近宣布的x4 NAND閃存元件。

      Saifun開發出了一種4位/cell技術,代號為“Quad-NROM”。它已向英飛凌和Spansion等廠商提供這種技術的授權。

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