Applied Materials公司近日推出三種新產(chǎn)品，為300mm電鍍平臺提供了更好的清洗和沉積性能。

Applied推出的新型和升級版Endura iLB II電鍍機，要連接到代工廠的一體化線性和擴散阻障層(barrier)芯片處理設備。利用該公司的Endura平臺，該工具目前結合了新的預清洗工藝和改良的物理層沉積能力，滿足了先進芯片設計中對Ti(鈦)材料處理的需求。

據(jù)稱，它把關鍵接觸結構中的電阻減小了40%，該系統(tǒng)新穎的、基于PVD的eSIP腔能夠在晶圓上沉積出一致的Ti金屬層；與過去的系統(tǒng)相比，底層覆蓋率增加了30%。

在工具上的新型“Siconi Preclean”腔為成品率至關重要的晶體管和接觸界面提供了經(jīng)過改良的表面處理工藝，Applied Materials公司Thin Films Group的副總裁兼總經(jīng)理Farhad Moghadam表示。

Applied還推出了增強版Endura CuBS(銅擴散阻障層/種子)系統(tǒng)，其中配備了新型Aktiv Preclean腔，使45nm以下的銅互連和低k互連成為可能。除了從互連清除聚合體的渣滓和氧化銅之外，Aktiv Preclean腔能保持超低k介質的完整性；與過去的反應預清洗工藝相比，RC延遲改善了10%，Applied公司介紹說。

Aktiv Preclean腔的設計減少了缺陷，在維護周期期間能夠處理多30,000塊晶圓，比反應型預清洗腔的處理速度提高了3倍。

此外，Applied還推出了Applied Producer APF-e系統(tǒng)，它能夠在70nm以下的閃存及DRAM存儲器器件、和45nm以下的邏輯應用器件上沉積先進的圖膜(patterning film)。APF-e薄膜的、有成效的硬掩模工藝技術對多晶硅和氧化物具有高選擇性，從而使連續(xù)幾何縮放中關鍵的蝕刻圖工藝步驟成為可能。

Applied的APF-e薄膜對多晶硅(6:1)和氧蝕刻(15:1)具有高識別性，只要與光阻有關的方案結合起來，就可以消除布線邊沿的粗糙形狀。APF-e工藝還消除了昂貴的、需要多層光阻處理的濕清洗步驟。