Nanosys公司宣稱，與英特爾擴展了存儲器合作關系，而且美光科技也加入了合作。

Nanosys曾于2004年曾宣布與英特爾合作研究化學和生物敏感的半導體材料，應用于納米級結構，包括納米線、納米棒、納米四足管和納米點陣等，以評估研制存儲器器件的潛力。

如今Nanosys宣布針對諸如消費電子、便攜式儲存和個人通信等領域高密度NAND閃存商機，開發出專有的納米結構。該公司擁有超過450項專利和在納米技術領域的專利應用，沒有披露其納米結構的本質，但透露美光科技將加入合作。英特爾和美光已經成立了一家合資企業IM Flash Technologies Inc.，為雙方制造NAND閃存。Nanosys聲稱，其納米技術推動的存儲技術兼容當前的制造工藝和設備，但實現了更高的儲存密度和單位低成本，并改進了可靠性。

Nanosys首席執行官Calvin Chow表示：“英特爾和美光將合力協助,加快Nanosys納米結構應用到非易失性存儲器件領域的開發和集成。”