7月21日消息(老沈 編譯)據(jù)外電報道，韓國現(xiàn)代半導體公司(Hynix)報告說，雖然二季度屬傳統(tǒng)增長放緩淡季，但公司二季度凈利潤比上季度增長了13%，比去年同期增長41%。 
      研究公司iSuppi估計，韓國芯片制造商一季度分別在DRAM內(nèi)存和NAND閃存市場占有14%的市場份額。現(xiàn)代半導體公司稱:二季度由于整個行業(yè)供應不足，DRAM市場價格相對堅挺。供應不足的原因是產(chǎn)品生產(chǎn)收縮方面的困難。
      轉(zhuǎn)向較大容量的專業(yè)DRAM芯片也給標準DRAM內(nèi)存的供應帶來了壓力。現(xiàn)代半導體公司報告稱:二季度DRAM內(nèi)存平均售價比上季度增長了1%，出貨數(shù)量比去年同期增長20%。DRAM對公司整體銷售額的貢獻增長了4個百分點，占銷售總額的67%。
      然而，現(xiàn)代公司另一項關(guān)鍵產(chǎn)品是NAND閃存，二季度閃存產(chǎn)品平均銷售價格比上季度猛降了44%，盡管出貨數(shù)量猛增了84%。與上季度相比，閃存產(chǎn)品對公司銷售總額的貢獻也降低了4個百分點，占銷售總額的33%。
      現(xiàn)代公司解釋說，閃存平均銷售價格下跌的原因是產(chǎn)品種類調(diào)整，即轉(zhuǎn)向更高儲存密度產(chǎn)品和多層晶片生產(chǎn)。該公司強調(diào)，84%出貨數(shù)量的高增長確實導致了平均銷售價格下跌。公司將出貨量猛增原因歸結(jié)為生產(chǎn)工藝的平滑轉(zhuǎn)型，即轉(zhuǎn)向70納米級單層晶片和90納米級的多層晶片技術(shù)。