國際整流器公司(International Rectifier)日前推出IRAUDAMP3 D類音頻參考設計，這款全新的小型參考設計采用IRS20124S高壓模擬IC及IRF6645 DirectFET功率MOSFET，可實現無散熱器的120W六通道半橋D類音頻功率放大器。
集成了IRS20124S高壓集成電路的參考設計具有內部可選死區時間發生電路，可以防止噪聲和電源電壓波動，有助于在60W、4Ω的情況下實現0.01%的總諧波失真(THD)，而在120W、4Ω單通道可實現94%的效率。此外，該集成電路還內置了雙電流感測和集成的關斷功能，在出現揚聲器引線短路等過流狀況時保護輸出MOSFET。
IRAUDAMP3的占板面積為4.5平方英寸，也采用了IRF6645 DirectFET功率MOSFET。創新的DirectFET封裝技術通過降低引線電感提高了開關性能，并降低了EMI噪聲，從而提高了D類音頻放大器電路的性能。其較高的熱性能有助于實現4Ω阻抗下的120W運行，而無需使用散熱器，這樣不僅縮小了電路尺寸，還為設計師作電路布局提供了更大的靈活性，降低了放大器系統的總體成本。
集成了IRS20124S高壓集成電路的參考設計具有內部可選死區時間發生電路，可以防止噪聲和電源電壓波動，有助于在60W、4Ω的情況下實現0.01%的總諧波失真(THD)，而在120W、4Ω單通道可實現94%的效率。此外，該集成電路還內置了雙電流感測和集成的關斷功能，在出現揚聲器引線短路等過流狀況時保護輸出MOSFET。
IRAUDAMP3的占板面積為4.5平方英寸，也采用了IRF6645 DirectFET功率MOSFET。創新的DirectFET封裝技術通過降低引線電感提高了開關性能，并降低了EMI噪聲，從而提高了D類音頻放大器電路的性能。其較高的熱性能有助于實現4Ω阻抗下的120W運行，而無需使用散熱器，這樣不僅縮小了電路尺寸，還為設計師作電路布局提供了更大的靈活性，降低了放大器系統的總體成本。