國際整流器公司（International Rectifier，IR）日前推出IRAUDAMP3 D類音頻參考設計。這款全新的小型參考設計采用IRS20124S高壓模擬IC及IRF6645 DirectFET功率MOSFET，可實現無散熱器的120W 六通道半橋D類音頻功率放大器。

       集成了IRS20124S高壓集成電路的參考設計具有內部可選死區時間發生電路，可以防止噪聲和電源電壓波動，有助于在60W、4Ω的情況下實現0.01%的總諧波失真（THD），而在120W、4Ω單通道可實現94%的效率。此外，該集成電路還內置了雙電流感測和集成的關斷功能，在出現揚聲器引線短路等過流狀況時保護輸出MOSFET。

       IRAUDAMP3的占板面積為4.5平方英寸，也采用了IRF6645 DirectFET 功率MOSFET。創新的DirectFET封裝技術通過降低引線電感提高了開關性能，并降低了EMI噪聲，從而提高了D類音頻放大器電路的性能。其較高的熱性能有助于實現4Ω阻抗下的120W運行，而無需使用散熱器，這樣不僅縮小了電路尺寸，還為設計師作電路布局提供了更大的靈活性，降低了放大器系統的總體成本。

       IR獲得專利的DirectFET MOSFET封裝體現了以往的標準塑料分立封裝所不具備的一系列設計優點。金屬罐構造可以實現雙面冷卻，使為先進微處理器供電的高頻DC-DC降壓式轉換器的電流處理能力增加一倍。此外，DirectFET封裝的器件均符合RoHS有害物質管理規定。

       IRAUDAMP3參考設計現已供貨，每套995美元，價格會有所變動。