IBM公司與佐治亞理工學(xué)院日前宣稱打破了硅速度記錄，部分歸功于“冰凍芯片”。雙方進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)稱，已論證了基于硅的芯片，通過(guò)將電路“冰凍”在零下451攝氏度，能在500GHz以上的頻率工作，比當(dāng)今手機(jī)通常約2GHz的頻率快250多倍。

       該項(xiàng)實(shí)驗(yàn)是一個(gè)項(xiàng)目的一部分，該項(xiàng)目是探索硅鍺(SiGe)器件的終級(jí)速度，據(jù)稱能在冷溫下工作更快。超高頻率SiGe電路在商用通信系統(tǒng)、軍用電子、宇宙和遙感等領(lǐng)域有潛在應(yīng)用。該研究有望研制出新型的功能強(qiáng)大、低能耗芯片，將未來(lái)應(yīng)用諸如HDTV和電影質(zhì)量的視頻傳送到手機(jī)、汽車和其它設(shè)備上。

       研究使用的芯片來(lái)自IBM 200mm晶圓加工的第四代SiGe技術(shù)原型。室溫下，這些電路工作頻率大約為350GHz。IBM系統(tǒng)及技術(shù)分部副總裁兼首席技術(shù)官Bernie Meyerson表示：“雙方的合作研究重新定義了硅基半導(dǎo)體的性能極限。”