作者：Mark LaPedus

       IBM公司與佐治亞理工學院日前宣稱打破了硅速度記錄，部分歸功于“冰凍芯片”。雙方進行的實驗稱，已論證了基于硅的芯片，通過將電路“冰凍”在零下451攝氏度，能在500GHz以上的頻率工作，比當今手機通常約2GHz的頻率快250多倍。

       該項實驗是一個項目的一部分，該項目是探索硅鍺(SiGe)器件的終級速度，據(jù)稱能在冷溫下工作更快。

       超高頻率SiGe電路在商用通信系統(tǒng)、軍用電子、宇宙和遙感等領域有潛在應用。該研究有望研制出新型的功能強大、低能耗芯片，將未來應用諸如HDTV和電影質(zhì)量的視頻傳送到手機、汽車和其它設備上。

       研究使用的芯片來自IBM 200mm晶圓加工的第四代SiGe技術原型。室溫下，這些電路工作頻率大約為350GHz。

       IBM系統(tǒng)及技術分部副總裁兼首席技術官Bernie Meyerson表示：“雙方的合作研究重新定義了硅基半導體的性能極限。”