三星電子對外界宣布近日已經(jīng)成功研發(fā)出速度更快存儲(chǔ)容量更高的，堪稱世界快的記憶芯片--OneNAND。這款芯片采用了的60納米技術(shù)制作工藝從而再次推動(dòng)制造工藝的發(fā)展。

       新款2GB的OneNAND芯片不僅容量叫1GB的OneNAND高出一倍，而且數(shù)據(jù)寫入速度也從每秒9.3MByte提升至每秒17MByte。NOR閃存快速讀取的速度和NAND閃存高存儲(chǔ)容量加上快速寫入速度，OneNAND把握住了巨大的潛在市場和一系列的多媒體手機(jī)應(yīng)用比如數(shù)字式攝像頭，可擴(kuò)展式記憶卡，個(gè)人電腦和數(shù)字電視等。

       此外，這種芯片能夠交叉存取從而來獲取更大的存儲(chǔ)空間，更多的芯片被相互連接更多的數(shù)據(jù)可以彼此共享。例如，當(dāng)8塊容量為2GB的記憶芯片被組合在一起的時(shí)候OneNAND的寫入能力就會(huì)被提升為136MByte每秒。