就在Intel還在為4GHz奮斗時，IBM和美國佐治亞理工學院早已將合作研究的硅鍺(SiGe)芯片推進到了500GHz的時代。據外電報道，本周二，IBM公司宣布，已成功使一顆芯片運行在500GHz.目前個人電腦處理器的速度為1.8GHz至3.8GHz.新研發的硅鍺芯片比常見的PC芯片快了100多倍，比手機芯片快了250倍，刷新了當前硅鍺芯片的速度記錄。據IBM稱，該硅鍺芯片在常溫下可以穩定運行在350GHz，而在將溫度降低至零下268℃時，該芯片的運行速度能夠達到500GHz.研究人員預測，終芯片的頻率可在常溫下達到1THz(即1000GHz)。
 
       IBM首席技術官伯納德·梅森預測，這款超級芯片有望在一到兩年內推出商業化產品。但在芯片中加入鍺元素會大大增加生產成本，因此家用電腦上要看到SiGe芯片的可能性很小。看來，這款高性能的硅鍺芯片有可能的歸宿還是導彈防御系統、宇宙飛行器以及遙感測量等特殊領域。