飛思卡爾半導體(Freescale)日前宣布推出業內款封裝在超模壓塑料封裝內、性能堪與氣腔封裝媲美的2GHz大功率RF晶體管。這些先進的設備基于飛思卡爾的高壓第七代(HV7)RF外側擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術。這種先進的技術旨在幫助無線基礎設施的設計人員極大地降低無線系統中昂貴的元件—基站放大器的成本，同時達到嚴格的性能要求。飛思卡爾的旗艦型HV7設備是在TO-270 WBL-4封裝內提供的MRF7S19120N。該設備能夠提供120 W P1dB和36W的平均功率，一般性能有望達到18dB的增益，在PAR=6.1dB時能夠達到32%的效率和-37.5dBc的線性(用CCDF上的PAR=7.5dB @ 0.01百分比概率的單載波W-CDMA信號進行測試)。相應的2.1GHz產品系列計劃于2006年第三季度推出。

       MRF7S19120N可在1.9GHz的頻率上提供相當性能的款晶體管，輸出功率為120W CW。與同類氣腔封裝產品相比，它所實現的性能在每個電力參數上都毫不遜色。幾十年來，人們一直使用陶瓷氣腔封裝來封裝大功率RF晶體管。它們本來就能乘受并散發由晶體管產生的較大熱量，而且與裸露晶體管硬模相比性能不會有大幅度降低。飛思卡爾副總裁兼RF事業部的總經理Gavin Woods表示：“與采用氣腔封裝的同類設備相比，超模壓塑料封裝設備能在每單元基礎上實現更低的成本，從而為放大器制造商帶來極大的成本優勢。此外，超模壓塑料設備還可以實現更高效的自動化裝配，從而簡化客戶的制造過程，進一步實現成本的節約。”

       據介紹，多年來，飛思卡爾一直在制造奇偶性能(parity performance)高達1GHz的超模壓塑料封裝RF設備。然而，要在超模壓塑料封裝內實現與氣腔封裝一樣的2GHz性能，需要復雜的設計技術和廣泛的工作，以克服技術和材料方面的限制。飛思卡爾MRF7S19120N的樣品現已上市，預計2006年第四季度投入批量生產。