飛思卡爾半導體(Freescale)日前宣布推出業(yè)內(nèi)款封裝在超模壓塑料封裝內(nèi)、性能堪與氣腔封裝媲美的2GHz大功率RF晶體管。這些先進的設(shè)備基于飛思卡爾的高壓第七代(HV7)RF外側(cè)擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術(shù)。這種先進的技術(shù)旨在幫助無線基礎(chǔ)設(shè)施的設(shè)計人員極大地降低無線系統(tǒng)中昂貴的元件—基站放大器的成本，同時達到嚴格的性能要求。

       飛思卡爾的旗艦型HV7設(shè)備是在TO-270 WBL-4封裝內(nèi)提供的MRF7S19120N。該設(shè)備能夠提供120 W P1dB和36W的平均功率，一般性能有望達到18dB的增益，在PAR=6.1dB時能夠達到32%的效率和-37.5dBc的線性(用CCDF上的PAR=7.5dB @ 0.01百分比概率的單載波W-CDMA信號進行測試)。相應(yīng)的2.1GHz產(chǎn)品系列計劃于2006年第三季度推出。

       MRF7S19120N可在1.9GHz的頻率上提供相當性能的款晶體管，輸出功率為120W CW。與同類氣腔封裝產(chǎn)品相比，它所實現(xiàn)的性能在每個電力參數(shù)上都毫不遜色。幾十年來，人們一直使用陶瓷氣腔封裝來封裝大功率RF晶體管。它們本來就能乘受并散發(fā)由晶體管產(chǎn)生的較大熱量，而且與裸露晶體管硬模相比性能不會有大幅度降低。

       飛思卡爾副總裁兼RF事業(yè)部的總經(jīng)理Gavin Woods表示：“與采用氣腔封裝的同類設(shè)備相比，超模壓塑料封裝設(shè)備能在每單元基礎(chǔ)上實現(xiàn)更低的成本，從而為放大器制造商帶來極大的成本優(yōu)勢。此外，超模壓塑料設(shè)備還可以實現(xiàn)更高效的自動化裝配，從而簡化客戶的制造過程，進一步實現(xiàn)成本的節(jié)約。”

       據(jù)介紹，多年來，飛思卡爾一直在制造奇偶性能(parity performance)高達1GHz的超模壓塑料封裝RF設(shè)備。然而，要在超模壓塑料封裝內(nèi)實現(xiàn)與氣腔封裝一樣的2GHz性能，需要復雜的設(shè)計技術(shù)和廣泛的工作，以克服技術(shù)和材料方面的限制。飛思卡爾MRF7S19120N的樣品現(xiàn)已上市，預計2006年第四季度投入批量生產(chǎn)。