由Denali Software公司主辦的MemCon會議的重點是關注存儲器領域的技術動態，不久前次由美國移師中國上海，發表演講的公司包括Denali Software、SMIC（中芯國際）、Micron、Cadence、Samsung、M-Systems以及Intel等，《電子工程專輯》是該次會議的支持媒體。總結會議的演講，DRAM、SRAM、Flash以及嵌入式存儲器等將在不同的應用領域呈現不同的發展趨勢，穩中有變，新型封裝形式會應勢而出；同時，存儲器領域對專用EDA工具的要求也在提升。

電子行業對DRAM的需求在持續增長。全球2004年至2007年DRAM的年復合增長率為50%，而更令人矚目的是在2006年中國將占據全球DRAM銷售額的40.5%，在2007年更將達到65%。DRAM的技術發展藍圖十分清晰，即更高的密度，更細的半導體工藝，同時，高速的DDR存儲器的應用將日益成為主流。

Flash是應用和技術變化快的存儲器。自從2005年NAND產量超過NOR以后，這兩者之間的競爭就日益激烈。從目前應用的主流來看，NAND為2Gb，至2007年會快速成長到4Gb，而NOR在消費類、網絡和計算電子產品中為2Mb至32Mb，在手機中則以32Mb至256Mb為主。技術上的變化則以更小尺寸工藝尺寸為主，附加上兩類存儲器在性能上的相互取長補短而衍生出的一系列新產品。

SoC的高速發展使得其內部的嵌入式存儲器容量在急劇增加，包括6T-SRAM、1T-SRAM、EEPPOM、Flash和OTP存儲器等。值得中國SoC設計工程師注意的一點是，據SIA的統計，2005年71%的嵌入式存儲器采用90nm工藝，而至2008年采用65nm工藝的產品將達到83%，而1T-SRAM從總體性能上分析要好于6T-SRAM和嵌入式DRAM。

多種形式存儲器的組合變化是分析技術趨勢的另一個好角度。從手機存儲器的技術演變上來看，將經歷由傳統的NOR+SRAM組合向未來適應視頻流、3D圖像所要求的NAND+DRAM的轉變。在這個轉變過程中，高密度、低成本的Pseudo SRAM取代低功耗SRAM的進程正在發生，而更高密度、更高速度和低成本的Mobile DRAM也開始崛起。這些變化隨著特定的時段和應用（如MP3、照相機、實時圖像捕獲、VGA分辨率游戲等）的需求而起伏變化，其中，RSRAM+NOR的組合在量產手機中具有極強的生命力，而在高端手機中，Mobile DRAM+NAND則可能占據主流。

各種存儲器件的組合封裝目前大行其道，功耗、可靠性、散熱性能是必須考慮的要素。在經歷了SiP(系統級封裝)、MCP(多芯片封裝)后，Micron公司開始大力推廣PoP(Package on a Package)封裝，即堆疊式封裝或多封裝堆疊。按照該公司的陳述，MCP在多于2層以上時的高測試成本、絲焊對性能的影響以及低成品率問題是推出PoP的主導思想。PoP的優勢在于先進行各層的封裝后再堆疊，從而可以保障焊接的平整性、高成品率，并提高整體組合的信號完整性。

存儲器的廣泛應用對專用存儲器IP內核和EDA工具的需求也在日益增長。Denali Software的Databahn是面向Flash和DDR等存儲器的控制器IP內核，獨立于供應商和工藝，提供端口仲裁、命令/寫/讀排序、事務處理、物理接口和ECC等多項功能；而MMAV工具則完成對存儲器的功能驗證和調試，用于存儲器的建模和仿真。

，在此想強調的一個活動是《電子工程專輯》將于今年7月在網站上正式開通首屆“中國電子成就獎”的自我提名，歡迎各家公司的積極參與。有關獎項的設置，請參考本刊5月1-15日期的第6頁。

作者:張毓波