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      從MemCon看存儲(chǔ)器應(yīng)用和技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì):穩(wěn)中有變

      更新時(shí)間: 2006-06-15 17:07:45來源: 粵嵌教育瀏覽量:513

      Denali Software公司主辦的MemCon會(huì)議的重點(diǎn)是關(guān)注存儲(chǔ)器領(lǐng)域的技術(shù)動(dòng)態(tài),不久前次由美國移師中國上海,發(fā)表演講的公司包括Denali Software、SMIC(中芯國際)、Micron、Cadence、Samsung、M-Systems以及Intel等,《電子工程專輯》是該次會(huì)議的支持媒體??偨Y(jié)會(huì)議的演講,DRAM、SRAM、Flash以及嵌入式存儲(chǔ)器等將在不同的應(yīng)用領(lǐng)域呈現(xiàn)不同的發(fā)展趨勢(shì),穩(wěn)中有變,新型封裝形式會(huì)應(yīng)勢(shì)而出;同時(shí),存儲(chǔ)器領(lǐng)域?qū)S肊DA工具的要求也在提升。

      電子行業(yè)對(duì)DRAM的需求在持續(xù)增長(zhǎng)。全球2004年至2007年DRAM的年復(fù)合增長(zhǎng)率為50%,而更令人矚目的是在2006年中國將占據(jù)全球DRAM銷售額的40.5%,在2007年更將達(dá)到65%。DRAM的技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖十分清晰,即更高的密度,更細(xì)的半導(dǎo)體工藝,同時(shí),高速的DDR存儲(chǔ)器的應(yīng)用將日益成為主流。

      Flash是應(yīng)用和技術(shù)變化快的存儲(chǔ)器。自從2005年NAND產(chǎn)量超過NOR以后,這兩者之間的競(jìng)爭(zhēng)就日益激烈。從目前應(yīng)用的主流來看,NAND為2Gb,至2007年會(huì)快速成長(zhǎng)到4Gb,而NOR在消費(fèi)類、網(wǎng)絡(luò)和計(jì)算電子產(chǎn)品中為2Mb至32Mb,在手機(jī)中則以32Mb至256Mb為主。技術(shù)上的變化則以更小尺寸工藝尺寸為主,附加上兩類存儲(chǔ)器在性能上的相互取長(zhǎng)補(bǔ)短而衍生出的一系列新產(chǎn)品。

      SoC的高速發(fā)展使得其內(nèi)部的嵌入式存儲(chǔ)器容量在急劇增加,包括6T-SRAM、1T-SRAM、EEPPOM、Flash和OTP存儲(chǔ)器等。值得中國SoC設(shè)計(jì)工程師注意的一點(diǎn)是,據(jù)SIA的統(tǒng)計(jì),2005年71%的嵌入式存儲(chǔ)器采用90nm工藝,而至2008年采用65nm工藝的產(chǎn)品將達(dá)到83%,而1T-SRAM從總體性能上分析要好于6T-SRAM和嵌入式DRAM。

      多種形式存儲(chǔ)器的組合變化是分析技術(shù)趨勢(shì)的另一個(gè)好角度。從手機(jī)存儲(chǔ)器的技術(shù)演變上來看,將經(jīng)歷由傳統(tǒng)的NOR+SRAM組合向未來適應(yīng)視頻流、3D圖像所要求的NAND+DRAM的轉(zhuǎn)變。在這個(gè)轉(zhuǎn)變過程中,高密度、低成本的Pseudo SRAM取代低功耗SRAM的進(jìn)程正在發(fā)生,而更高密度、更高速度和低成本的Mobile DRAM也開始崛起。這些變化隨著特定的時(shí)段和應(yīng)用(如MP3、照相機(jī)、實(shí)時(shí)圖像捕獲、VGA分辨率游戲等)的需求而起伏變化,其中,RSRAM+NOR的組合在量產(chǎn)手機(jī)中具有極強(qiáng)的生命力,而在高端手機(jī)中,Mobile DRAM+NAND則可能占據(jù)主流。

      各種存儲(chǔ)器件的組合封裝目前大行其道,功耗、可靠性、散熱性能是必須考慮的要素。在經(jīng)歷了SiP(系統(tǒng)級(jí)封裝)、MCP(多芯片封裝)后,Micron公司開始大力推廣PoP(Package on a Package)封裝,即堆疊式封裝或多封裝堆疊。按照該公司的陳述,MCP在多于2層以上時(shí)的高測(cè)試成本、絲焊對(duì)性能的影響以及低成品率問題是推出PoP的主導(dǎo)思想。PoP的優(yōu)勢(shì)在于先進(jìn)行各層的封裝后再堆疊,從而可以保障焊接的平整性、高成品率,并提高整體組合的信號(hào)完整性。

      存儲(chǔ)器的廣泛應(yīng)用對(duì)專用存儲(chǔ)器IP內(nèi)核和EDA工具的需求也在日益增長(zhǎng)。Denali Software的Databahn是面向Flash和DDR等存儲(chǔ)器的控制器IP內(nèi)核,獨(dú)立于供應(yīng)商和工藝,提供端口仲裁、命令/寫/讀排序、事務(wù)處理、物理接口和ECC等多項(xiàng)功能;而MMAV工具則完成對(duì)存儲(chǔ)器的功能驗(yàn)證和調(diào)試,用于存儲(chǔ)器的建模和仿真。

      ,在此想強(qiáng)調(diào)的一個(gè)活動(dòng)是《電子工程專輯》將于今年7月在網(wǎng)站上正式開通首屆“中國電子成就獎(jiǎng)”的自我提名,歡迎各家公司的積極參與。有關(guān)獎(jiǎng)項(xiàng)的設(shè)置,請(qǐng)參考本刊5月1-15日期的第6頁。

      作者:張毓波

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