飛利浦日前表示，將加快推進(jìn)以車載微控制器和非接觸IC卡應(yīng)用領(lǐng)域為中心的混載閃存(NANO flash)制造工藝的提高。2006年第1季度繼正在量產(chǎn)的180nm工藝之后已經(jīng)開始生產(chǎn)140nm工藝產(chǎn)品，同時現(xiàn)已著手準(zhǔn)備向90nm工藝過渡。
該公司180nm工藝混載閃存在車載領(lǐng)域已獲得“Grade-1”認(rèn)證。產(chǎn)品廠商可保證在車載領(lǐng)域所要求的125℃高溫條件下正常工作。其混載閃存之所以能耐高溫運行，“原因是耗電量低”。
該公司負(fù)責(zé)技術(shù)研發(fā)的Frans List表示：飛利浦混載閃存的的特點是耗電量低，其主要用途是對耗電量要求嚴(yán)格的車載微控制器和非接觸IC。當(dāng)然，包括便攜終端在內(nèi)的數(shù)字民用產(chǎn)品也是重要的用途之一。180nm工藝16Mbit產(chǎn)品的寫入與刪除電壓分別為1.5V和1.2V，單位工作頻率的耗電量為1.62mW/MHz。
Frans List指出：之所以能實現(xiàn)低耗電，原因在于它是以F-N(Fowler-Nordheim)穿隧方式寫入數(shù)據(jù)。這種方式由于不在構(gòu)成單元的MOS FET源-漏極之間施加電壓，因此與混載閃存領(lǐng)域普遍采用的CHE(溝道熱電子)注入方式相比，可降低寫入電流。
在談到寫入速度上與CHE注入方式的比較時，F(xiàn)rans List指出：以單元為單位的寫入速度的確是CHE注入方式更快一些。不過，F(xiàn)-N穿隧方式由于能夠以由多個單元構(gòu)成的單元塊進(jìn)行寫入，因此容量越大，在寫入速度上與CHE注入方式相比就越具優(yōu)勢。
飛利浦采用的是由數(shù)據(jù)保存用MOSFET和單元選擇用MOSFET構(gòu)成一個單元的“2T型”，但這并沒有影響尺寸，由于它的耗電量低，與CHE注入方式的1T型能夠減小升壓電路的設(shè)計尺寸，16Mbit產(chǎn)品的芯片面板為19mm^2，實現(xiàn)了接近1Mbit/mm^2的集成密度。在制造工藝更的混載領(lǐng)域，升壓電路在整個芯片中所占的面積較大，單元面積的增加可通過升壓電路的小型化加以補償。
該公司180nm工藝混載閃存在車載領(lǐng)域已獲得“Grade-1”認(rèn)證。產(chǎn)品廠商可保證在車載領(lǐng)域所要求的125℃高溫條件下正常工作。其混載閃存之所以能耐高溫運行，“原因是耗電量低”。
該公司負(fù)責(zé)技術(shù)研發(fā)的Frans List表示：飛利浦混載閃存的的特點是耗電量低，其主要用途是對耗電量要求嚴(yán)格的車載微控制器和非接觸IC。當(dāng)然，包括便攜終端在內(nèi)的數(shù)字民用產(chǎn)品也是重要的用途之一。180nm工藝16Mbit產(chǎn)品的寫入與刪除電壓分別為1.5V和1.2V，單位工作頻率的耗電量為1.62mW/MHz。
Frans List指出：之所以能實現(xiàn)低耗電，原因在于它是以F-N(Fowler-Nordheim)穿隧方式寫入數(shù)據(jù)。這種方式由于不在構(gòu)成單元的MOS FET源-漏極之間施加電壓，因此與混載閃存領(lǐng)域普遍采用的CHE(溝道熱電子)注入方式相比，可降低寫入電流。
在談到寫入速度上與CHE注入方式的比較時，F(xiàn)rans List指出：以單元為單位的寫入速度的確是CHE注入方式更快一些。不過，F(xiàn)-N穿隧方式由于能夠以由多個單元構(gòu)成的單元塊進(jìn)行寫入，因此容量越大，在寫入速度上與CHE注入方式相比就越具優(yōu)勢。
飛利浦采用的是由數(shù)據(jù)保存用MOSFET和單元選擇用MOSFET構(gòu)成一個單元的“2T型”，但這并沒有影響尺寸，由于它的耗電量低，與CHE注入方式的1T型能夠減小升壓電路的設(shè)計尺寸，16Mbit產(chǎn)品的芯片面板為19mm^2，實現(xiàn)了接近1Mbit/mm^2的集成密度。在制造工藝更的混載領(lǐng)域，升壓電路在整個芯片中所占的面積較大，單元面積的增加可通過升壓電路的小型化加以補償。