閃存巨頭美國(guó)Spansion公司日前公布了面向車載設(shè)備、民用設(shè)備、通信設(shè)備和手機(jī)的數(shù)據(jù)保存用閃存“MirrorBit ORNAND”的投產(chǎn)計(jì)劃。MirrorBit ORNAND具有NAND接口，成本與現(xiàn)有NAND閃存相同，而且具備與NOR閃存相媲美的可靠性及高速讀取性能。采用了在內(nèi)存單元的不同物理位置保存多個(gè)數(shù)據(jù)位實(shí)現(xiàn)多值化的技術(shù)“MirrorBit”。
       作為供車載設(shè)備、民用設(shè)備和通信設(shè)備等使用的工作電壓為3V的產(chǎn)品系列，備有存儲(chǔ)容量從128Mbit至2Gbit的產(chǎn)品群。產(chǎn)品為2Gbit，2006年第2季度供應(yīng)樣品，2006年第4季度開(kāi)始量產(chǎn)。
       工作電壓為1.8V、存儲(chǔ)容量為512Mbit的手機(jī)用MirrorBit ORNAND產(chǎn)品自2006年第3季度開(kāi)始量產(chǎn)。該產(chǎn)品現(xiàn)已開(kāi)始供應(yīng)樣品。對(duì)于手機(jī)用MirrorBit ORNAND，早在2006年1月就已經(jīng)發(fā)布1Gbit產(chǎn)品。此次還宣布，1Gbit產(chǎn)品現(xiàn)已在美國(guó)德克薩斯州奧斯汀半導(dǎo)體工廠“Fab 25”投入量產(chǎn)。
       對(duì)于面向手機(jī)等產(chǎn)品的大容量SIM卡“HD-SIM”，將于2006年下半年開(kāi)始提供雙芯片結(jié)構(gòu)的試驗(yàn)產(chǎn)品。而單芯片結(jié)構(gòu)的HD-SIM，計(jì)劃2007年內(nèi)供應(yīng)128Mbit～512Mbit的產(chǎn)品。
       除此，還準(zhǔn)備在2006年下半年發(fā)布基于目前正在開(kāi)發(fā)的“MirrorBit Quad”技術(shù)的產(chǎn)品。