意法半導體推出了該公司批采用頂置金屬片的PolarPAK 封裝的必vIC，這種封裝有助于大電流電源組件實現優異的熱性能和更高的必v密度。新的STK800和STK850分別是20A和30A的必v場效應MOS晶體管，占板面積與SO-8封裝相同，僅為5mm x 6mm。因為頂部和底部都有散熱通道，所以封裝的高度更低，只有0.8mm高。

       ST和Siliconix公司于2005年3月簽訂一項使用PolarPAK技術的野i協議。新封裝的引線框架和塑料封裝與大多數標準必v場效應MOS晶體管使用的封裝相似，具有優良的裸片保護弁遄A在制造過程中拾放芯片十分容易。然而與標準的SO-8封裝相比，PolarPAK的散熱效率更加出色，在相同的占板面積下，比SO-8封裝處理的電流高一倍。

       新器件采用ST優化的STripFET制造技術，在更小的芯片面積上取得了更低的通態電阻和弁?A這項技術是以大幅度提高單元密度和降低單元線寬為基礎的。在10V時，20A STK800的典型RDS(on) 是6.0毫歐，30A STK850是2.9毫歐。結到外殼熱阻極低和結溫較低的特性是降低兩款MOSFET的通態電阻的主要因素。

       電容低和柵電荷總量低使STK800成為非隔離型直流-直流降壓轉換器的控制FET的理想選擇，同時極低的RDS(on)電阻使 STK850成為一個的同步FET解決方案。較低的工作溫度有助于提高能效和使用壽命的可靠性。新的封裝加強了裸片保護，提高了制造過程中芯片拾放的便利性，并兼容現有的SMD組裝設備。新器件的多個貨源確保客戶采購的靈活性。