隨著近幾年國內半導體產業的飛速發展，作為半導體產業鏈上游的半導體硅材料行業在下游市場的驅動下也取得了長足的進步，尤其在硅片及封裝材料方面，國內企業都有所作為。
200毫米硅片材料期待產業化
目前，全球半導體工業已經由8英寸硅片的0.25微米技術向12英寸硅片的0.13微米-0.10微米技術轉移，對12英寸硅片的市場需求正逐步擴大。通過對0.13微米-0.10微米集成電路用12英寸硅片的開發，不但可以滿足市場需求，占領國內外市場，而且可以在技術上實現跨越式發展，使我國的硅材料工業處于世界先進水平。
與之相適應的是，近年來，中國單晶硅產量明顯穩步增長。在硅單晶拉制和硅片加工方面，我國建立了直徑100毫米-150毫米的硅片生產線，在200毫米直拉硅單晶的研制方面也有所突破。
由有研半導體材料股份有限公司(簡稱有研硅股)承擔的“直徑12英寸硅單晶拋光片和外延片課題”已攻克了12英寸硅單晶生長工藝和硅片切、磨、拋、清洗以及檢測等關鍵技術難題，開發出從單晶生長到晶片加工和檢測的成套技術。利用該技術制備的12英寸硅單晶拋光片能夠滿足0.13微米集成電路的要求，并提供一定數量的12英寸硅單晶拋光片樣片。今年，他們將進行12英寸硅單晶拋光片的產業化工作，在此基礎上他們還將繼續擴大規模，生產滿足90納米集成電路所需的12英寸硅單晶拋光片，開發12英寸外延片等硅基材料。此外，他們還將擴大6英寸、8英寸重摻襯底片及大功率器件所需區熔硅片的生產規模。
立立電子在2003年與浙大硅材料國家重點實驗室合作完成了被列為科技部863計劃重大專項的12英寸單晶硅課題項目。該項目的研制成功，為研制12英寸及更大直徑硅外延片打下了基礎，對推動中國半導體產業發展具有重要意義。該公司董事長李立本介紹說，未來5年，立立電子擬投入5億-7億元技術改造資金，提高重摻單晶硅錠產量和硅外延片生產規模，建立中國的具有國際影響力的年產300噸4英寸-8英寸重摻單晶硅錠和480萬片4英寸-8英寸重摻系列硅拋光片、150萬片4英寸-8英寸重摻系列硅外延片的生產基地，分別占全球市場規模的2.3%和3.5%。控股子公司杭州立昂電子有限公司將形成30萬片6英寸功率芯片的生產基地。他還充滿信心地強調，屆時公司年銷售規模將達到8億-10億元，成為全球半導體材料行業排名前十位的知名供應廠商，并力爭在之后的20年-30年內成長為全球半導體材料的制造商。
鍵合金絲已95%國產化
作為半導體封裝的四大基礎材料之一的鍵合金絲，是芯片與框架之間的內引線，是生產集成電路的專用材料。中國電子材料行業協會副秘書長袁桐告訴記者，由于國內人力和資源的優勢，鍵合金絲的生產在國際上有一定的地位。目前，國內集成電路生產線所用鍵合金絲95%以上都已國產化，還有部分出口。
集成電路向體積小、多功能、高密集、多芯片封裝方向的發展，對鍵合金絲的要求越來越高：隨著封裝引腳數的增多，引腳間距的減少，所用金絲線徑越來越小，對焊接材料要求越來越嚴格，在鍵合工藝過程中，更易出現引線斷裂現象；隨著超細間距的球形鍵合工藝的發展，器件的包封密度的要求越來越高，鍵合金絲的強度要求也越來越高；隨著鍵合弧度不斷降低，對鍵合金絲成弧能力的要求也隨之提高，要求有弧度低、弧形長的金絲。因此必須有細線徑、高強度、低弧度、長弧形，并保持良好導電性的金絲滿足要求，這就為鍵合金絲生產企業提出了新課題。
目前，國內已經有不少企業在為適應這個要求而努力著。賀利氏招遠貴金屬材料有限公司相關人士表示，他們正在致力于細線徑、高強度、低弧度、長弧形、高可靠性金絲的開發制造工作。該負責人還強調，他們還將加速鍵合銅絲、純鋁絲的產業化工程。他解釋說，銅絲球焊接技術是目前國際上正在進行開發研究的一種用于微電子器件芯片與內引線連接的新技術。與現行的金絲球焊接技術相比，不僅可以節省黃金、降低成本、便于焊接過程自動化，而且可以減緩脆性金屬化合物的形成，提高鍵合強度，采用銅絲鍵合新工藝不但能降低器件制造成本，而且其互連強度比金絲還要好。因而，在今后的微電子封裝發展中，銅絲焊將會成為主流技術。銅絲與傳統的晶片上鋁金屬化焊區的鍵合，可降低成本，使高產、細間距封裝的焊絲更牢固和堅硬，具有廣闊的市場前景。
國內另外一家集引線框架與鍵合金絲生產于一身的企業寧波康強近年來也取得不俗業績。2004年公司銷售收入增長60.79%，2005年增長37.25%，一舉突破4億元。近兩年他們加大技術創新力度，取得了顯著成績：完成省重點科研項目，2004年生產鍵合金絲650公斤，2005年增加到1210公斤，成為全國同行第二；完成火炬計劃項目，年新增集成電路引線框架10億只；基本完成國家創新基金/電子信息發展基金項目：國內首創IC卡卡芯蝕刻生產線及產品，。
該公司主要負責人介紹說，今后，康強電子將加大投資力度，做強做大微電子封裝材料生產規模，保持國內，五年進入全球前列，銷售收入達到10億元以上。
除了鍵合金絲及引線框架，作為很重要的封裝材料之一的環氧塑封料近年來在國內的發展也頗受關注。國內的環氧塑封料生產企業華威公司負責人表示，公司將進一步加強科技開發，加大技術創新、調整產品結構，在滿足國內主流市場SOP、TSOP、SSOP、QFP、TQFP、BGA等產品需求的基礎上，研究開發MCM、3D、SIP、MEMS等新型封裝材料，并加強產業化技術研究工作，實現成果產業化，以新產品、新技術搶占市場。
專家觀點 應對半導體材料行業實行優惠稅政策
袁桐 中國電子材料行業協會副秘書長
近幾年，我國出臺了許多促進電子信息產業發展的優惠政策，但這些優惠政策的制定頒布，主要為整機、集成電路、軟件產業所享受，進口原材料關稅倒掛或零關稅的條款，使國內半導體材料行業的發展困難重重。如多晶硅原料進口要繳關稅，而進口硅拋光片實行零關稅，導致國內硅片價格難與進口硅片競爭，特別是2004年以來多晶硅原料出現的供不應求，國外供應商大幅度漲價，進口多晶硅不但價格暴漲，還需繳進口關稅。雖然國內半導體材料價格較國外進口仍然算低的，但長此以往，不利于國內半導體材料企業可持續發展。國家應對半導體材料行業實行稅收優惠政策，使國內企業和國外同行真正站在同一起跑線上競爭。
李珂 中國半導體行業協會信息交流部主任
雖然18號文件中對單晶硅片給予了與集成電路同樣的優惠政策，但是對于集成電路生產所需的各類設備和其他材料卻并未納入政策優惠的范圍，不僅如此，文件中還規定：“集成電路生產企業進口自用生產性原材料、消耗品，免征關稅和進口環節增值稅，企業引進集成電路技術和成套生產設備，單項進口的集成電路專用設備與儀器，免征進口關稅和進口環節增值稅。”這使國產集成電路設備和材料與國外產品在價格上的優勢大大縮小，特別是在附加值較低的半導體材料產品上，這一影響更為明顯，個別國產半導體材料甚至比同類進口產品的價格還要高。
這一對國外半導體設備和材料廠商給予的“超國民待遇”無疑對國內半導體設備與材料行業發展帶來了極大的阻力。目前這一政策所帶來的負面影響主要表現在兩個方面：一、抑制投資。由于國內生產不具有成本優勢，因此很多國外半導體設備和材料廠商在經過考察后放棄了在我國投資設廠的計劃，支撐業投資的冷清與半導體產業投資的踴躍形成了鮮明的對比。二、扭曲貿易。目前國內半導體材料廠商也開始采取先出口，再由集成電路生產企業進口的方式來規避17%的增值稅。因此，為鼓勵國內集成電路產業發展而制定的政策卻在無形中成為阻礙國內半導體配套產業發展的一道難以逾越的壁壘。
梁勝 北京市工業促進局電子信息產業發展處處長
一條大型集成電路生產線的成本，幾乎一半來自對原、輔材料的消耗(包括硅片和各種化學試劑)，這些原、輔材料的來源，目前也基本上依靠進口。而關稅倒掛現象使得我們和國外同行的競爭優勢日益縮小。要解決這個問題，首先還是要靠政府，政府首先要看到這個問題，然后認識到這個問題的嚴重性。有關部門應該共同研究，通力合作，以有限的資源集中投入解決關鍵性、共性、基礎性問題的原則，共同制定出綜合性的政策和措施。(來源：中國電子行業投資信息網)